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J-GLOBAL ID：200902179118974362   Reference number：01A0626196

CVD Si_1-x-yGe_xC_yエピタキシャル成長とドーピング制御

Author (7)： MUROTA JIYUN'ICHI (東北大 電通研) ,  SAKURABA MASAO (東北大 電通研) ,  MATSUURA TAKASHI (東北大 電通研) ,  TAKASAWA YUSHIN (日立国際電気) ,  MORIYA ATSUSHI (日立国際電気) ,  NODA TAKAAKI (日立国際電気) ,  KUNII YASUO (日立国際電気)
Material： 日立国際電気技報  (Hitachi Kokusai Electric Technology Journal)
Issue： 1  Page： 2-10  Publication year： Mar. 31, 2001 
JST Material Number： X0673B  ISSN： 1346-5953  Document type： Article
Article type： 原著論文  Country of issue： Japan (JPN)  Language： JAPANESE (JA)

Thesaurus term： *chemical vapor deposition ,...

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JST classification (2)： Manufacturing technology of solid-state devices  (NC03030V) ,  Semiconductor thin films  (BK14040E)

Terms in the title (3)： CVD ,  エピタキシャル成長 ,  ドーピング