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J-GLOBAL ID：200902179316901460   Reference number：01A0444049

An Analytical Propagating Path and Intensity Profile of Photons Emitted in Semiconductor Devices Regarding Reflection and Refracted Transmission.

半導体デバイス内の反射と透過を考慮した光伝搬経路と光量強度分布解析

Author (3)： KAMEDA ETSUMASA (富山工高専) ,  MATSUDA TOSHIHIRO (富山県大 工) ,  OZONE TAKASHI (富山県大 工)
Material： シミュレーション  (Journal of the Japan Society for Simulation Technology)
Volume： 20  Issue： 1  Page： 78-85  Publication year： Mar. 15, 2001 
JST Material Number： L0458A  ISSN： 0285-9947  Document type： Article
Article type： 原著論文  Country of issue： Japan (JPN)  Language： JAPANESE (JA)

Thesaurus term： *MOSFET ,...
Semi thesaurus term： focal plane

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JST classification (2)： Refraction,reflection,dispersion,deflection,absorption,transmission  (BD03020B) ,  Transistors  (NC03070N)

Reference (8)：

• KOLZER, J. Quantitative Emission Microscopy. J. Appl. Phys. 1992, 71, R23/R41
• OHZONE, T. Three-Dimensional Effects of Latchup Turn-On CMOS and Forward-Biased n^+-Diode Measured by Photoemission. Proc. IEEE 1992 Int. Conf. on Microelectronic Test Structures. 1992, 5, 115/120
• OHZONE, T. A Two-Dimensional Analysis of Hot-Carrier Photoemission from LOCOS- and Trench-Isolated MOSFET_s. Int. Electron Devices Meeting Tech. Dig. 1992, 527/530
• MATSUDA, T. A Study on Hot-Carrier-Induced Photoemission in n-MOSFET_s, IEICE Trans. Electron. 1999, E82-C4, 593/601
• 亀田悦正. 半導体デバイス内の光伝搬経路と光量強度分布の一解析法. シミュレーション. 1999, 18-2, 121/127

Terms in the title (6)： 半導体デバイス ,  透過 ,  伝搬経路 ,  光量 ,  強度分布 ,  解析