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J-GLOBAL ID：200902179924544084   Reference number：02A0807908

Measurement of Ultra Fine Defects on the Si Wafer Surface Using a Laser Light Scattering Method.

レーザ光散乱法によるSiウエハ表面上の超微小欠陥計測

Author (9)： INOUE HARUYUKI (大阪大 大学院工学研究科) ,  KATAOKA TOSHIHIKO (大阪大 大学院工学研究科) ,  OSHIKANE YASUSHI (大阪大 大学院工学研究科) ,  ENDO KATSUYOSHI (大阪大 大学院工学研究科) ,  MORI YUZO (大阪大 大学院工学研究科) ,  NAKANO MOTOHIRO (大阪大 大学院工学研究科) ,  AN HIROSHI (大阪電通大 工) ,  SATOMI SHIN'YA (大阪大 大学院工学研究科) ,  WADA KATSUO (シリコンテクノロジー)
Material： 精密工学会誌  (Journal of the Japan Society for Precision Engineering)
Volume： 68  Issue： 10  Page： 1337-1341  Publication year： Oct. 05, 2002 
JST Material Number： F0268A  ISSN： 0912-0289  Document type： Article
Article type： 原著論文  Country of issue： Japan (JPN)  Language： JAPANESE (JA)

Thesaurus term： *wafer ,...

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JST classification (1)： Measurement,testing and reliability of solid-state devices  (NC03040G)

Reference (10)：

• International Technology Roadmap for Semiconductors
• 松本嘉明. 超精密ウェーハ表面制御技術. サイエンスフォーラム. 2000, 297
• OHMI, Tadahiro. Dependence of Thin - Oxide Films Quality on Surface Microroughness. IEEE Transactions on Electron Devices. 1992, 39, 3, 537
• MIYASHITA, M. Dependence of Surface Microroughness of CZ, FZ, and EPI Wafers on Wet Chemical Processing. J. Electrochem. Soc. 1992, 139, 8, 2133
• MURANAKA, Masaya. The Analysis of the Defective Cells Induced by COP in a 0.3 - micron - technology Node DRAM. Jpn. J. Appl. Phys. 1998, 37, 3B, 1240

Terms in the title (6)： レーザ ,  光散乱法 ,  Siウエハ ,  微小 ,  欠陥 ,  計測