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J-GLOBAL ID：200902183565631747   Reference number：97A1019202

Preparation of SrBi₂Ta₂O₉ Film at Low Temperatures and Fabrication of a Metal/Ferroelectric/Insulator/Semiconductor Field Effect Transistor Using Al/SrBi₂Ta₂O₉/CeO₂/Si(100) Structures.

SrBi₂Ta₂O₉膜の低温形成とAl/SrBi₂Ta₂O₉/CeO₂/Si(100)構造による金属/強誘電体/絶縁体/半導体電界効果トランジスタの作製

Author (5)： HIRAI T (Asahi Chemical Ind. Co., Ltd., Shizuoka, JPN) ,  FUJISAKI Y (Waseda Univ., Tokyo, JPN) ,  NAGASHIMA K (Waseda Univ., Tokyo, JPN) ,  KOIKE H (Waseda Univ., Tokyo, JPN) ,  TARUI Y (Waseda Univ., Tokyo, JPN)
Material： Japanese Journal of Applied Physics. Part 1. Regular Papers, Short Notes & Review Papers  (Japanese Journal of Applied Physics. Part 1. Regular Papers, Brief Communications & Review Papers)
Volume： 36  Issue： 9B  Page： 5908-5911  Publication year： Sep. 1997 
JST Material Number： G0520B  ISSN： 0021-4922  Document type： Article
Article type： 原著論文  Country of issue： Japan (JPN)  Language： ENGLISH (EN)

Thesaurus term： layered compound ,...
Semi thesaurus term： SBT【ビスマス化合物】 ,...

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JST classification (3)： Oxide thin films  (BK14050P) ,  Ferroelectrics,antiferroelectrics and ferroelasticity  (BM05030B) ,  Transistors  (NC03070N)

Reference (12)：

• MOLL, J. L. IEEE Trans.Electron Devices. 1963, ED-10, 338
• WU, S. Y. Ferroelectrics. 1976, 11, 379
• MATSUI, Y. Appl.Phys.A. 1982, 28, 161
• LAMPE, D. R. Ferroelectrics. 1992, 133, 61
• HIRAI, T. Jpn.J.Appl.Phys. 1994, 33, 5219

Terms in the title (8)： 低温形成 ,  Al ,  CeO2 ,  Si ,  強誘電体 ,  絶縁体 ,  電界効果トランジスタ ,  作製