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J-GLOBAL ID：200902184038164835   Reference number：98A0109782

Generation of High-purity Ozone Beam and Its Application to the Formation of Ultra-thin Silicon Dioxide Film.

純オゾンビームの発生とシリコン極薄酸化膜作製への応用

Author (4)： ICHIMURA SHINGO (電総研) ,  NONAKA HIDEHIKO (電総研) ,  KUROKAWA AKIRA (電総研) ,  NAKAMURA KEN (電総研)
Material： 表面科学  (JSSSJ)
Volume： 18  Issue： 12  Page： 766-774  Publication year： Dec. 1997 
JST Material Number： F0940B  ISSN： 0388-5321  Document type： Article
Article type： 文献レビュー  Country of issue： Japan (JPN)  Language： JAPANESE (JA)

Thesaurus term： oxide film ,...

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JST classification (1)： Oxide thin films  (BK14050P)

Reference (45)：

• 1) 石川順三: 応用物理 62, 1180 (1993).
• 2) 水谷 巽, 湯之上隆, 横川賢悦: 応用物理 59, 1496 (1990).
• 3) 例えば, L.E. Katz: “VLSI Technology”, 2nd ed., ed. by S.M. Sze (McGraw-Hill, New York, 1988) p.131.
• 4) M. Horvath, L. Bititzky and J. Huettner: “Ozone”; (Elsevier, New York, 1985).
• 5) 各種酸化源の特徴は, 次の解説にまとめられている。H. Nonaka, S. Ichimura, T. Shimizu and K. Arai: Critical Review in Solid State and Materials Science 20, 285 (1995).

Terms in the title (6)： オゾン ,  ビーム ,  シリコン ,  酸化膜 ,  作製 ,  応用