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J-GLOBAL ID：200902189429712154   Reference number：00A0520016

Optimum Discharge Condition of DC Bias Electron Cyclotron Resonance Plasma Stuttering for High Quality Si Epitaxial Growth.

高品質Siエピタキシャル成長のためのDCバイアス電子サイクロトロン共鳴プラズマスパッタリングの最適放電条件

Author (8)： GAO J (Kyushu Univ., Fukuoka, JPN) ,  NAKASHIMA H (Kyushu Univ., Fukuoka, JPN) ,  WANG J (Kyushu Univ., Fukuoka, JPN) ,  IWANAGA K (Kyushu Univ., Fukuoka, JPN) ,  NAKASHIMA H (Kyushu Univ., Fukuoka, JPN) ,  IKEDA K (Kyushu Univ., Fukuoka, JPN) ,  FURUKAWA K (Kyushu Univ., Fukuoka, JPN) ,  MURAOKA K (Kyushu Univ., Fukuoka, JPN)
Material： Japanese Journal of Applied Physics. Part 1. Regular Papers, Short Notes & Review Papers  (Japanese Journal of Applied Physics. Part 1. Regular Papers, Brief Communications & Review Papers)
Volume： 39  Issue： 5A  Page： 2834-2838  Publication year： May. 15, 2000 
JST Material Number： G0520B  ISSN： 0021-4922  Document type： Article
Article type： 原著論文  Country of issue： Japan (JPN)  Language： ENGLISH (EN)

Thesaurus term： *silicon ,...

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JST classification (1)： Semiconductor thin films  (BK14040E)

Reference (20)：

• 1) I. Nagai, T. Takahagi, A. Ishitani and H. Kuroda: J. Appl. Phys. 64 (1988) 5183.
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• 4) T. Itoh, T. Nakamura, M. Muromachi and T. Sugiyama: Jpn. J. Appl. Phys. 16 (1977) 553.
• 5) C. Schwebel, F. Meyer, G. Gautherin and C. Pellet: J. Vac. Sci. Technol. B 4 (1986) 1153.

Terms in the title (8)： 高品質 ,  Si ,  エピタキシャル成長 ,  DC ,  バイアス ,  電子サイクロトロン共鳴プラズマ ,  スパッタリング ,  放電