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J-GLOBAL ID：200902207137765646   Reference number：08A0790737

Statistical p-n Junction Leakage Model via Trap Level Fluctuation for Refresh-Time-Oriented Dynamic Random Access Memory Design

リフレッシュ時間志向のダイナミックランダムアクセスメモリの設計のための捕獲準位のゆらぎによる統計的p-n接合の漏れの模型

Author (5)： KAMOHARA Shiro (Renesas Technol. Corp., Ibaraki, JPN) ,  KAMOHARA Shiro (Tokyo Metropolitan Univ., Tokyo, JPN) ,  KUBOTA Katsuhiko (Renesas Technol. Corp., Ibaraki, JPN) ,  MONIWA Masahiro (Renesas Technol. Corp., Ibaraki, JPN) ,  OKUMURA Tsugunori (Tokyo Metropolitan Univ., Tokyo, JPN)
Material： Japanese Journal of Applied Physics  (JJAP)
Volume： 47  Issue： 7 Issue 1  Page： 5304-5308  Publication year： Jul. 25, 2008 
JST Material Number： G0520B  ISSN： 0021-4922  CODEN： JJAPB6  Document type： Article
Article type： 原著論文  Country of issue： United Kingdom (GBR)  Language： ENGLISH (EN)

Thesaurus term： retention time ,  *DRAM ,  trapping center ,  deep level ,  fluctuation ,  PN junction ,  leakage current ,  temperature dependence
Semi thesaurus term： リフレッシュ時間 ,  テイルビット ,  プロセススプリット

JST classification (1)： Semiconductor integrated circuit  (NC03162T)

Reference (26)：

• T. Hamamoto, S. Sugiura, and S. Sawada: IEDM Tech. Dig., 1995, p. 377.
• T. Hamamoto, S. Sugiura, and S. Sawada: IEEE Trans. Electron Devices 45(1998)1300.
• Y. P. Kim, S. T. Kim, J. T. Moon, and S. U. Kim: IEEE Trans. Device Mater. Reliab.1(2001)104.
• Y. Mori, R. Yamada, S. Kamohara, M. Moniwa, K. Ohyu, and T. Yamanaka: Proc. IRPS2001, 2001, p. 167.
• Y. Mori, S. Kamohara, M. Moniwa, K. Ohyu, T. Yamanaka, and R. Yamada: IEEE Trans. Electron Devices 53(2006)398.

Terms in the title (8)： ダイナミックランダムアクセスメモリ ,  設計 ,  捕獲準位 ,  ゆらぎ ,  統計 ,  p-n接合 ,  漏れ ,  模型