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J-GLOBAL ID：200902226460713471   Reference number：04A0023422

Donor structure and electric transport mechanism in β-Ga₂O₃

β-Ga₂O₃におけるドナー構造と電子輸送機構

Author (5)： YAMAGA M (Gifu Univ., Gifu, JPN) ,  VILLORA E G (Waseda Univ., Tokyo, JPN) ,  SHIMAMURA K (Waseda Univ., Tokyo, JPN) ,  ICHINOSE N (Waseda Univ., Tokyo, JPN) ,  HONDA M (Naruto Univ. Education, Naruto, JPN)
Material： Physical Review. B. Condensed Matter and Materials Physics  (Physical Review. B. Condensed Matter)
Volume： 68  Issue： 15  Page： 155207.1-155207.9  Publication year： Oct. 2003 
JST Material Number： D0746A  ISSN： 1098-0121  CODEN： PRBMDO  Document type： Article
Article type： 原著論文  Country of issue： United States (USA)  Language： ENGLISH (EN)

Thesaurus term： *gallium oxide ,...

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JST classification (3)： Electronic structure of impurites and defects  (BM02100I) ,  EPR of metals and semiconductors  (BM07022M) ,  Electric conduction in crystalline semiconductors  (BM03043X)

Terms in the title (3)： β-Ga2O3 ,  ドナー ,  電子輸送