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J-GLOBAL ID：200902229413280868   Reference number：05A0535156

Novel Shallow Trench Isolation Process from Viewpoint of Total Strain Process Design for 45nm Node Devices and Beyond

45nmノード技術およびその先の技術のためのトータル応力を考慮したプロセス設計に基づく斬新な浅いトレンチ アイソレーション プロセス

Author (9)： ISHIBASHI Masato (Renesas Technol. Corp., Hyogo, JPN) ,  HORITA Katsuyuki (Renesas Technol. Corp., Hyogo, JPN) ,  SAWADA Mahito (Renesas Technol. Corp., Hyogo, JPN) ,  KITAZAWA Masashi (Renesas Technol. Corp., Hyogo, JPN) ,  IGARASHI Motoshige (Renesas Technol. Corp., Hyogo, JPN) ,  KUROI Takashi (Renesas Technol. Corp., Hyogo, JPN) ,  EIMORI Takahisa (Renesas Technol. Corp., Hyogo, JPN) ,  KOBAYASHI Kiyoteru (Renesas Technol. Corp., Hyogo, JPN) ,  INUISHI Masahide (Renesas Technol. Corp., Hyogo, JPN)
Material： Japanese Journal of Applied Physics. Part 1. Regular Papers, Short Notes & Review Papers  (Japanese Journal of Applied Physics. Part 1. Regular Papers, Brief Communications & Review Papers)
Volume： 44  Issue： 4B  Page： 2152-2156  Publication year： Apr. 30, 2005 
JST Material Number： G0520B  ISSN： 0021-4922  Document type： Article
Article type： 原著論文  Country of issue： Japan (JPN)  Language： ENGLISH (EN)

Thesaurus term： internal stress ,...

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JST classification (1)： Manufacturing technology of solid-state devices  (NC03030V)

Reference (8)：

• 1) T. Ghani et al.: Tech. Dig. Int. Electron Device Meet. (2003) p. 978.
• 2) T. Kuroi, T. Uchida, K. Horita, M. Sakai, Y. Itoh, Y. Inoue and T. Nishimura: Tech. Dig. Int. Electron Device Meet. (1998) p. 141.
• 3) G. Scott, J. Lutze, M. Rubin, F. Nouri and M. Manley: Tech. Dig. Int. Electron Device Meet. (1999) p. 827.
• 4) P. Smeys, P. B. Griffin, Z. U. Rek, I. De Wolf and K. C. Saraswat: IEEE Trans. Electron Devices 46 (1999) 1245.
• 5) J. H. Heo, S. J. Hong, D. H. Ahn, H. D. Cho, M. H. Park, K. Fujihara, U. I. Chung, Y. C. Oh and J. T. Moon: Proc. VLSI Symp. (2002) p. 302.

Terms in the title (8)： ノード ,  先 ,  トータル ,  応力 ,  プロセス ,  設計 ,  トレンチ ,  アイソレーション