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J-GLOBAL ID：200902238034081172   Reference number：09A1163505

Semiconductor Devices for Space Use and Radiation Hardening Technique

宇宙用半導体部品とその耐放射線化技術

Author (3)： HIROSE KAZUYUKI (宇宙航空研究開発機構宇宙科学研究本部) ,  MITSUISHI SUSUMU (NEC東芝スペースシステム株式会社) ,  KOBAYASHI DAISUKE (宇宙航空研究開発機構宇宙科学研究本部)
Material： 電気学会誌  (電気学会雑誌)
Volume： 129  Issue： 11  Page： 739-742 (J-STAGE)  Publication year： 2009 
JST Material Number： F0011A  ISSN： 1340-5551  CODEN： DGZAAW  Document type： Article
Article type： 解説  Country of issue： Japan (JPN)  Language： JAPANESE (JA)

Thesaurus term： *SRAM ,  space environment ,  scientific satellite ,  *radiation resistance(radiation effect) ,  SOI structure ,  radiation exposure(irradiation) ,  computer simulation
Semi thesaurus term： CMOS process ,  *CMOS IC ,  Single Event Transient Pulse ,  Soft Error Rate

JST classification (1)： Semiconductor integrated circuit  (NC03162T)

Reference (20)：

• HOLMES-SIEDLE, A. Handbook of Radiation Effects. 2002
• 後川昭雄. 耐放射線強化素子研究の現状. 応用物理. 1986, 55, 3, 25-33
• 塩野登. LSIへの放射線の影響. 応用物理. 1986, 55, 3, 43-47
• 梨山勇. 宇宙用半導体素子のシングルイベント. 放射線と産業. 1994, 61, 37-41
• 平田雅規. 宇宙用LSIの放射線対策. 放射線と産業. 1994, 63, 21-24

Terms in the title (2)： 宇宙 ,  放射線