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J-GLOBAL ID：200902242059762406   Reference number：06A0624370

Step-Flow Growth of In-Polar InN by Molecular Beam Epitaxy

分子ビームエピタキシによるIn-極性InNのステップフロー成長

Author (8)： WANG Xinqiang (JST-CREST) ,  WANG Xinqiang (Chiba Univ., Chiba, JPN) ,  CHE Song-Bek (JST-CREST) ,  CHE Song-Bek (Chiba Univ., Chiba, JPN) ,  ISHITANI Yoshihiro (JST-CREST) ,  ISHITANI Yoshihiro (Chiba Univ., Chiba, JPN) ,  YOSHIKAWA Akihiko (JST-CREST) ,  YOSHIKAWA Akihiko (Chiba Univ., Chiba, JPN)
Material： Japanese Journal of Applied Physics. Part 2. Letters  (Japanese Journal of Applied Physics. Part 2. Letters & Express Letters)
Volume： 45  Issue： 24-28  Page： L730-L733  Publication year： Jul. 25, 2006 
JST Material Number： F0599B  ISSN： 0021-4922  Document type： Article
Article type： 原著論文  Country of issue： Japan (JPN)  Language： ENGLISH (EN)

Thesaurus term： *MBE growth ,...
Semi thesaurus term： ステップフロー成長 ,...

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JST classification (2)： Semiconductor thin films  (BK14040E) ,  Electric conduction in crystalline semiconductors  (BM03043X)

Reference (19)：

• NANISHI, Y. Jpn. J. Appl. Phys. 2003, 42, 2549
• BHUIYAN, A. G. J. Appl. Phys. 2003, 94, 2779
• WANG, X. Prog. Cryst. Growth Charact. Mater. 2004, 48-49, 42
• ISHITANI, Y. Phys. Status Solidi C. 2005, 2, 2276
• XU, K. Appl. Phys. Lett. 2003, 83, 251

Terms in the title (5)： 分子ビームエピタキシ ,  極性 ,  InN ,  フロー ,  成長