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J-GLOBAL ID：200902243441842173   Reference number：03A0271283

Novel Monitoring Method and Failure-age Estimation of Power Semiconductor Devices in Power Utilities

発変電所装置搭載パワー半導体素子の寿命推定と搭載素子の検査手法・検出装置の開発評価

Author (2)： HORIUCHI TOSHIKAZU (関西電力 総技研 電力技研) ,  SUGAWARA YOSHITAKA (関西電力 総技研 電力技研)
Material： 電気学会論文誌 D  (IEEJ Transactions on Industry Applications)
Volume： 123  Issue： 4  Page： 429-436  Publication year： Apr. 01, 2003 
JST Material Number： X0451A  ISSN： 0913-6339  Document type： Article
Article type： 原著論文  Country of issue： Japan (JPN)  Language： JAPANESE (JA)

Thesaurus term： *diode ,...
Semi thesaurus term： 劣化検出

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JST classification (2)： Diodes  (NC03050R) ,  Facilities management  (KB02020X)

Reference (10)：

• HORIUCHI, T. Long-term Reliability Evaluation of Power Semiconductor Devices Used Power Station Rectifiers and Substation Rectifiers. T. IEE Japan, D. 2000, 120, 3, 397-403
• HORIUCHI, T. Long-term Reliability Evaluation of Power Semiconductor Devices Used in Substation Rectifiers. The 10th International Symposium on Power Semiconductor Devices & ICs: Proceedings of 10th ISPSD. 1998, 195-198
• HORIUCHI, T. Novel Monitoring Method and Long-term Reliability Evaluation of Power Semiconductor Devices in Power Utilities. The 13th International Symposium on Power Semiconductor Devices & ICs: Proceedings of 13th ISPSD. 2001, 75-78
• 菅原良孝. 変電所整流装置搭載パワー半導体素子の長期信頼性(1). 平9電気学会全大. 778
• 堀内利一. 変電所整流装置搭載パワー半導体素子の長期信頼性(2). 平10電気学会全大. 737

Terms in the title (9)： 変電所 ,  パワー ,  半導体素子 ,  寿命推定 ,  検査 ,  手法 ,  検出装置 ,  開発 ,  評価