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J-GLOBAL ID：200902243768005445   Reference number：08A0425753

中性粒子ビームALD法により作製したHfO₂膜の構造解析と電気特性評価

Author (5)： IKOMA TOORU (東北大 流体科研) ,  SANO KEISUKE (東北大 流体科研) ,  KOGANEZAWA TOMOYUKI (高輝度科学研究セ) ,  HIROSAWA ICHIRO (高輝度科学研究セ) ,  SAMUKAWA SEIJI (東北大 流体科研)
Material： 応用物理学関係連合講演会講演予稿集  (Extended Abstracts. Spring Meeting. Japan Society of Applied Physics and Related Societies)
Volume： 55th  Issue： 2  Page： 841  Publication year： Mar. 27, 2008 
JST Material Number： Y0054A  Document type： Proceedings
Article type： 短報  Country of issue： Japan (JPN)  Language： JAPANESE (JA)

Thesaurus term： neutron beam ,  chemical vapor deposition ,  *hafnium oxide ,  thin film ,  *structure analysis ,  *electrical characteristic ,  insulating film ,  neutral beam ,  Oxygen ,  oxide film ,  interface (surface) ,  surface structure ,  composition (constitution) ,  reflectivity ,  inductively coupled plasma ,  X-ray ,  density ,  gate dielectric film ,  interface structure ,  beam ,  conversion coating film ,  structure ,  plasma
Semi thesaurus term： atomic layer deposition ,  ICP

JST classification (1)： Oxide thin films  (BK14050P)

Terms in the title (7)： 中性粒子ビーム ,  ALD ,  作製 ,  HfO2 ,  構造解析 ,  電気特性 ,  評価