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J-GLOBAL ID：200902249298673266   Reference number：08A0824368

Investigation of Thermoelectric Properties of Si/Ge Multilayer with Ultra-Heavily B Doping

超重度のBドーピングしたSi/Ge多層体の熱電特性の調査

Author (4)： MATOBA Akinari (Graduate School of Natural Sci. & Technol. of Kanazawa Univ.) ,  WATASE Hiroyuki (Graduate School of Natural Sci. & Technol. of Kanazawa Univ.) ,  KITAI Masahiro (Graduate School of Natural Sci. & Technol. of Kanazawa Univ.) ,  SASAKI Kimihiro (Graduate School of Natural Sci. & Technol. of Kanazawa Univ.)
Material： Materials Transactions  (Mater Trans)
Volume： 49  Issue： 8  Page： 1723-1727 (J-STAGE)  Publication year： 2008 
JST Material Number： G0668A  ISSN： 1345-9678  Document type： Article
Article type： 原著論文  Country of issue： Japan (JPN)  Language： ENGLISH (EN)

Thesaurus term： germanium compound ,  boron ,  doping ,  *thermoelectric material ,  *multilayer film ,  ion beam sputtering ,  crystal structure ,  heating temperature ,  electrical resistivity ,  *silicon base alloy
Semi thesaurus term： power factor

JST classification (1)： Electrical properties  (WB02010Y)

Reference (14)：

• HICKS, L. D. Phys. Rev. B. 1993, 47, 12727-12731
• HICKS, L. D. Phys. Rev. B. 1993, 47, 16631-16634
• GHAMATY, S. Proc. 22nd Int. Conf. Thermoelectrics, 2003. 2003, 563-566
• OKAMOTO, Y. Jpn. J. Appl. Phys. 1999, 38, L945-L947
• UCHINO, H. Jpn. J. Appl. Phys. 2000, 39, L1675-L1677

Terms in the title (6)： ドーピング ,  Si ,  Ge ,  多層体 ,  熱電特性 ,  調査