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J-GLOBAL ID：200902253842048815   Reference number：07A0567880

Si(001) Surface Layer-by-Layer Oxidation Studied by Real-Time Photoelectron Spectroscopy using Synchrotron Radiation

シンクロトロン放射を使い実時間光電子分光法により調べたSi(001)表面層毎の酸化

Author (6)： OGAWA Shuichi (Tohoku Univ., Sendai, JPN) ,  YOSHIGOE Akitaka (Japan Atomic Energy Res. Agency, Hyogo, JPN) ,  ISHIDZUKA Shinji (Akita National Coll. of Technol., Akita, JPN) ,  TERAOKA Yuden (Japan Atomic Energy Res. Agency, Hyogo, JPN) ,  TAKAKUWA Yuji (Tohoku Univ., Sendai, JPN) ,  TAKAKUWA Yuji (JST-CREST, Sendai, JPN)
Material： Japanese Journal of Applied Physics. Part 1. Regular Papers, Short Notes & Review Papers  (Japanese Journal of Applied Physics. Part 1. Regular Papers, Brief Communications & Review Papers)
Volume： 46  Issue： 5B  Page： 3244-3254  Publication year： May. 30, 2007 
JST Material Number： G0520B  ISSN： 0021-4922  Document type： Article
Article type： 原著論文  Country of issue： Japan (JPN)  Language： ENGLISH (EN)

Thesaurus term： synchrotron radiation ,...

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JST classification (1)： Other noncatalytic reactions  (CB06070U)

Reference (75)：

• M. K. Weldon, K. T. Queeney, J. Eng, Jr., K. Raghavachari, and Y. J. Chabal: Surf. Sci.500(2002)859.
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• B. E. Deal and A. S. Grove: J. Appl. Phys.36(1965)3770.

Terms in the title (6)： シンクロトロン放射 ,  実時間 ,  光電子分光法 ,  Si ,  表面層 ,  酸化