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J-GLOBAL ID：200902255221816757   Reference number：03A0706700

Uniformity of 4H-SiC epitaxial layers grown on 3-in diameter substrates

3インチ直径基板上に成長させた4H-SiCエピタキシャル層の均一性

Author (9)： NISHIO J (R&D Assoc. for Future Electron Devices, Ibaraki, JPN) ,  HASEGAWA M (R&D Assoc. for Future Electron Devices, Ibaraki, JPN) ,  KOJIMA K (R&D Assoc. for Future Electron Devices, Ibaraki, JPN) ,  OHNO T (R&D Assoc. for Future Electron Devices, Ibaraki, JPN) ,  ISHIDA Y (Ultra-Low-Loss Power Device Technol. Res. Body, Ibaraki, JPN) ,  TAKAHASHI T (Ultra-Low-Loss Power Device Technol. Res. Body, Ibaraki, JPN) ,  SUZUKI T (R&D Assoc. for Future Electron Devices, Ibaraki, JPN) ,  TANAKA T (R&D Assoc. for Future Electron Devices, Ibaraki, JPN) ,  ARAI K (Ultra-Low-Loss Power Device Technol. Res. Body, Ibaraki, JPN)
Material： Journal of Crystal Growth  (J Cryst Growth)
Volume： 258  Issue： 1/2  Page： 113-122  Publication year： Oct. 2003 
JST Material Number： B0942A  ISSN： 0022-0248  Document type： Article
Article type： 原著論文  Country of issue： Netherlands (NLD)  Language： ENGLISH (EN)

Thesaurus term： *silicon carbide ,...

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JST classification (1)： Semiconductor thin films  (BK14040E)

Terms in the title (6)： インチ ,  直径 ,  成長 ,  4H-SiC ,  エピタキシャル層 ,  均一性