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J-GLOBAL ID：200902257424249630   Reference number：04A0085645

Growth of Be-doped p-type GaN under Invariant Polarity Conditions

不変極性条件下のBeドープp型GaNの成長

Author (8)： SUGITA S (Waseda Univ., Tokyo, JPN) ,  WATARI Y (Waseda Univ., Tokyo, JPN) ,  YOSHIZAWA G (Waseda Univ., Tokyo, JPN) ,  SODESAWA J (Waseda Univ., Tokyo, JPN) ,  YAMAMIZU H (Waseda Univ., Tokyo, JPN) ,  LIU K-T (National Chen Kung Univ., TWN) ,  SU Y-K (National Chen Kung Univ., TWN) ,  HORIKOSHI Y (Waseda Univ., Tokyo, JPN)
Material： Japanese Journal of Applied Physics. Part 1. Regular Papers, Short Notes & Review Papers  (Japanese Journal of Applied Physics. Part 1. Regular Papers, Brief Communications & Review Papers)
Volume： 42  Issue： 12  Page： 7194-7197  Publication year： Dec. 15, 2003 
JST Material Number： G0520B  ISSN： 0021-4922  Document type： Article
Article type： 原著論文  Country of issue： Japan (JPN)  Language： ENGLISH (EN)

Thesaurus term： polarity ,...

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JST classification (3)： Semiconductor thin films  (BK14040E) ,  Electronic structure of impurites and defects  (BM02100I) ,  Luminescence of semiconductors  (BM08092S)

Reference (18)：

• 1) J. I. Pankove and J. A. Hutchby: J. Appl. Phys. 47 (1976) 5387.
• 2) T. Tanaka, A. Watanabe, H. Amano, Y. Kobayashi, I. Akasaki, S. Yamazaki and M. Koike: Appl. Phys. Lett. 65 (1994) 593.
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• 4) L. Eckey, U. Von. Gfug, J. Holst, A. Hoffmann, B. Schineller, K. Heime, M. Heuken, O. Schon and R. Beccard: J. Cryst. Growth 189/190 (1998) 523.
• 5) F. J. Sanchez, F. Calle, M. A. Sanchez-Garcia, E. Calleja, E. Munoz, C. H. Molloy, D. J. Somerford, J. J. Serrano and J. M. Blanco: Semicond. Sci. Technol. 13 (1998) 1130.

Terms in the title (6)： 不変 ,  極性 ,  Be ,  ドープ ,  GaN ,  成長