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J-GLOBAL ID：200902261599694790   Reference number：06A0124725

Si,InGaAs系デバイスの放射線損傷と導入格子欠陥に関する研究(III)

Author (8)： OYAMA HIDENORI (熊本電波工高専) ,  HAYAMA KIYOTERU (熊本電波工高専) ,  KUDO TOMOHIRO (熊本電波工高専) ,  HAKATA TETSUYA (熊本電波工高専) ,  SHIGAKI KAZUSADA (熊本電波工高専) ,  TAKAKURA KEN'ICHIRO (熊本電波工高専) ,  YONEOKA MASASHI (熊本電波工高専) ,  UWATOKO YOSHIYA (東大 物性研)
Material： 原研施設利用共同研究成果報告書  (UTRCN-G)
Issue： UTRCN-G-34  Page： 10-14  Publication year： 2006 
JST Material Number： X0698A  Document type： Article
Article type： 短報  Country of issue： Japan (JPN)  Language： JAPANESE (JA)

Thesaurus term： *MOSFET ,...

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JST classification (2)： Irradiational changes semiconductors  (BK16123E) ,  Materials of solid-state devices  (NC03020K)

Terms in the title (5)： Si ,  InGaAs ,  放射線損傷 ,  格子欠陥 ,  研究