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J-GLOBAL ID：200902263694979435   Reference number：05A0348817

Electroluminescence Properties of InGaAsSbN Quantum Well Diodes Grown by Molecular Beam Epitaxy

分子線エピタキシャル成長InGaAsSbN量子井戸ダイオードの発光特性

Author (3)： NAKAGAWA TOMOKATSU (大阪府大 先端科研) ,  KAWAMURA YUICHI (大阪府大 先端科研) ,  INOUE NAOHISA (大阪府大 先端科研)
Material： 真空  (Journal of the Vacuum Society of Japan)
Volume： 48  Issue： 3  Page： 124-126  Publication year： Mar. 20, 2005 
JST Material Number： G0194A  ISSN： 0559-8516  CODEN： SHINA  Document type： Article
Article type： 短報  Country of issue： Japan (JPN)  Language： JAPANESE (JA)

Thesaurus term： *gallium arsenide ,...

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JST classification (3)： Light emitting devices  (NC03082G) ,  Semiconductor thin films  (BK14040E) ,  Luminescence of semiconductors  (BM08092S)

Reference (7)：

• 1) K. Kondow, K. Uomi, A. Niwa, T. Kitatani, S. Watahiki and Y. Yazawa: Jpn. J. Appl. Phys., 35 (1996) 1273.
• 2) H. Shimizu, K. Kumada, S. Uchiyama and A. Kasukawa: IEEE J. Select. Topics Quantum Electron., 7 (2001) 355.
• 3) S. R. Bank, M. A. Wistery, H. B. Yuen, L. L. Goddard, W. Ha and J. S. Harris Jr.: Electron. Lett., 39 (2003) 1445.
• 4) J. Wagner, D. Serries, K. Kohler, P. Ganser, M. Maier, L. Kirste and R. Kiefer: Proc. 16^th Int. Conf. Indium Phosphide and Related Materials, (IEEE, NJ, 2004) 32.
• 5) Y. Kawamura, T. Nakagawa and N. Inoue: Jpn. J. Appl. Phys., 43 (2004) L1320.

Terms in the title (4)： 分子線エピタキシャル成長 ,  量子井戸 ,  ダイオード ,  発光特性