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J-GLOBAL ID：200902264554393151   Reference number：09A0810909

EUV (Extreme Ultraviolet) Light Source by Laser Produced Plasma Using Tin Through-hole Targets-EUV Emission and Ablation Process in Conical and Cylindrical Through-holes-

スズ貫通孔ターゲットを用いたレーザ生成プラズマEUV(Extreme Ultraviolet)光源-円錐および円筒型貫通孔内アブレーション過程とEUV放射-

Author (5)： NAKANO MOTOHIRO (大阪大 大学院工学研究科) ,  SANDA YASUYUKI (大阪大 大学院工学研究科) ,  INOUE HARUYUKI (大阪大 大学院工学研究科) ,  OSHIKANE YASUSHI (大阪大 大学院工学研究科) ,  KATAOKA TOSHIHIKO (大阪大 大学院工学研究科)
Material： 精密工学会誌(CD-ROM)  (精密工学会誌論文集)
Volume： 75  Issue： 8  Page： 967-972  Publication year： Aug. 05, 2009 
JST Material Number： F0268B  ISSN： 1348-8716  Document type： Article
Article type： 原著論文  Country of issue： Japan (JPN)  Language： JAPANESE (JA)

Thesaurus term： *photolithography ,  extreme ultraviolet ,  *laser-produced plasma ,  *tin ,  Nd-YAG laser ,  *through hole ,  shape effect ,  circular cone ,  cylinder (hollow body) ,  semiconductor process ,  laser ablation ,  *plasma
Semi thesaurus term： *EUV lithography

JST classification (1)： Manufacturing technology of solid-state devices  (NC03030V)

Reference (26)：

• 1) ITRS: International Technology Roadmap for Semiconductors 2007 Edition Lithography, http://www.itrs.net/Links/2007ITRS/2007_Chapters/2007_Lithography.pdf, (2007) 26.
• 2) S. Wurm: Extreme Ultraviolet Lithography Development in the United States, Jpn. J. Appl. Phys. 46, 9B, (2007) 6105
• 3) M. Imai: Lithography Technology since 45 nm Generation, J. Jpn. Soc. Precis. Eng., 74, 5, (2008) 441 (in Japanese).
• 4) M. Richardson et al.: Diagnostics for laser plasma EUV sources, Proc. SPIE, 5580 (2005) 434.
• 5) K. Kemp and S. Wurm: EUV lithography, Comptes Rendus Physique, 7 (2006) 875.

Terms in the title (9)： スズ ,  貫通孔 ,  ターゲット ,  レーザ生成プラズマ ,  EUV ,  円錐 ,  アブレーション ,  過程 ,  放射