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J-GLOBAL ID：200902273317298992   Reference number：03A0773173

Evaluation of Variable Energy Level of Conduction Band Edge on Fluoride Resonant Tunneling Diodes

ふっ化物共鳴トンネルダイオードにおける伝導帯端の可変エネルギー準位の評価

Author (3)： MAEDA M (Tokyo Inst. of Technol., Yokohama, JPN) ,  WATANABE S (Tokyo Inst. of Technol., Yokohama, JPN) ,  TSUTSUI K (Tokyo Inst. of Technol., Yokohama, JPN)
Material： Japanese Journal of Applied Physics. Part 2. Letters  (Japanese Journal of Applied Physics. Part 2. Letters & Express Letters)
Volume： 42  Issue： 10A  Page： L1216-L1218  Publication year： Oct. 01, 2003 
JST Material Number： F0599B  ISSN： 0021-4922  Document type： Article
Article type： 短報  Country of issue： Japan (JPN)  Language： ENGLISH (EN)

Thesaurus term： fluoride ,...
Semi thesaurus term： conduction band ,...

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JST classification (2)： Metal-insulator-semiconductor structures  (BM03085X) ,  Diodes  (NC03050R)

Reference (8)：

• 1) A. Izumi, Y. Hirai, K. Tsutsui and N. S. Sokolov: Appl. Phys. Lett. 67 (1995) 2792.
• 2) A. Izumi, N. Matsubara, Y. Kushida and K. Tsutsui: Jpn. J. Appl. Phys. 36 (1997) 1849.
• 3) M. Watanabe, Y. Aoki, W. Saito and M. Tsuganezawa: Jpn. J. Appl. Phys. 38 (1999) L116.
• 4) T. Terayama, H. Sekine and K. Tsutsui: Jpn. J. Appl. Phys. 41 (2002) 2598.
• 5) M. Maeda, H. Kambayashi, S. Watanabe and K. Tsutsui: Jpn. J. Appl. Phys. 42 (2003) 2453.

Terms in the title (6)： ふっ化物 ,  共鳴トンネルダイオード ,  伝導帯 ,  可変 ,  エネルギー準位 ,  評価