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J-GLOBAL ID：200902277015022047   Reference number：05A0538199

Effects of Growth Interruption during Growth of InAs Wetting Layer on Formation of InAs Quantum Dots

InAsぬれ層の成長過程での成長中断がInAs量子ドットの形成に与える効果

Author (3)： MORISHITA Yoshitaka (Tokyo Univ. Agriculture and Technol., Tokyo, JPN) ,  OSADA Koh (Tokyo Univ. Agriculture and Technol., Tokyo, JPN) ,  HASEGAWA Tomoaki (Tokyo Univ. Agriculture and Technol., Tokyo, JPN)
Material： Japanese Journal of Applied Physics. Part 1. Regular Papers, Short Notes & Review Papers  (Japanese Journal of Applied Physics. Part 1. Regular Papers, Brief Communications & Review Papers)
Volume： 44  Issue： 5A  Page： 2925-2928  Publication year： May. 15, 2005 
JST Material Number： G0520B  ISSN： 0021-4922  Document type： Article
Article type： 原著論文  Country of issue： Japan (JPN)  Language： ENGLISH (EN)

Thesaurus term： *quantum dot ,...
Semi thesaurus term： wetting layer

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JST classification (1)： Semiconductor thin films  (BK14040E)

Reference (15)：

• 1) D. Leonard, K. Pond and P. M. Petroff: Phys. Rev. B 50 (1994) 11687.
• 2) Y. Nabetani, T. Ishikawa, S. Noda and A. Sasaki: J. Appl. Phys. 76 (1994) 347.
• 3) R. P. Mirin, J. P. Ibbetson, K. Nishi, A. C. Gossard and J. E. Bowers: Appl. Phys. Lett. 67 (1995) 3795.
• 4) R. Leon, C. Lobo, A. Clark, R. Bozek, A. Wysmolek, A. Kurpiewski and M. Kaminska: J. Appl. Phys. 84 (1998) 248.
• 5) D. Bimberg (Ed.): Quantum Dot Heterostuructures (Wiley, Chichester, 1999).

Terms in the title (6)： InAs ,  ぬれ層 ,  成長過程 ,  成長 ,  中断 ,  InAs量子ドット