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J-GLOBAL ID：200902279443527334   Reference number：04A0691617

Surface Smoothing Mechanism of AlN Film by Initially Alternating Supply of Ammonia

初期段階でのアンモニアの交互供給法によるAlN膜の表面平滑化機構

Author (7)： YAN F (Univ. Tokushima, Tokushima, JPN) ,  TSUKIHARA M (Univ. Tokushima, Tokushima, JPN) ,  NAKAMURA A (Univ. Tokushima, Tokushima, JPN) ,  YADANI T (Univ. Tokushima, Tokushima, JPN) ,  FUKUMOTO T (Univ. Tokushima, Tokushima, JPN) ,  NAOI Y (Univ. Tokushima, Tokushima, JPN) ,  SAKAI S (Univ. Tokushima, Tokushima, JPN)
Material： Japanese Journal of Applied Physics. Part 2. Letters  (Japanese Journal of Applied Physics. Part 2. Letters & Express Letters)
Volume： 43  Issue： 8B  Page： L1057-L1059  Publication year： Aug. 15, 2004 
JST Material Number： F0599B  ISSN： 0021-4922  Document type： Article
Article type： 短報  Country of issue： Japan (JPN)  Language： ENGLISH (EN)

Thesaurus term： *aluminum nitride ,...
Semi thesaurus term： MOVPE

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JST classification (2)： Semiconductor thin films  (BK14040E) ,  Surface structure of semiconductors  (BK15030A)

Reference (10)：

• 1) K. B. Nam, J. Li, M. L. Nakarmi, J. Y. Lin and H. X. Jiang: Appl. Phys. Lett. 82 (2003) 1694.
• 2) C. M. Zetterling and M. Ostling,N. Nordell, O. Schon and M. Deschler: Appl. Phys. Lett. 70 (1997) 3549.
• 3) X.Shen, M. Shimizu and H. Okumura: Jpn. J. Appl. Phys. 42 (2003) L1293.
• 4) Y. Ohba and R. Sato: J. Cryst. Growth 221 (2000) 258.
• 5) Y. Wu, A. Hanlon, J. F. Kaeding, R. Sharma, P. T. Fini, S. Nakamura and J. S. Speck: Appl. Phys. Lett. 84 (2004) 912.

Terms in the title (4)： 初期段階 ,  アンモニア ,  AlN ,  平滑化