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J-GLOBAL ID：200902253741622766   Reference number：03A0873553

Impact of Vicinal Sapphire (0001) Substrates on the High-Quality AlN Films by Plasma-Assisted Molecular Beam Epitaxy

プラズマアシスト分子ビームエピタキシャル成長させた高品質AlN膜に及ぼす微傾斜サファイア(0001)基板の影響

Author (3)： SHEN X-Q (National Inst. of Advanced Industrial Sci. and Technol. (AIST),Ibaraki, JPN) ,  SHIMIZU M (National Inst. of Advanced Industrial Sci. and Technol. (AIST),Ibaraki, JPN) ,  OKUMURA H (National Inst. of Advanced Industrial Sci. and Technol. (AIST),Ibaraki, JPN)
Material： Japanese Journal of Applied Physics. Part 2. Letters  (Japanese Journal of Applied Physics. Part 2. Letters & Express Letters)
Volume： 42  Issue： 11A  Page： L1293-L1295  Publication year： Nov. 01, 2003 
JST Material Number： F0599B  ISSN： 0021-4922  Document type： Article
Article type： 短報  Country of issue： Japan (JPN)  Language： ENGLISH (EN)

Thesaurus term： *aluminum nitride ,...

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JST classification (2)： Semiconductor thin films  (BK14040E) ,  Surface structure of semiconductors  (BK15030A)

Reference (16)：

• 1) E. S. Hellman: Internet J. Nitride Semicond. Res. 3 (1998) 11.
• 2) X. Q. Shen, T. Ide, S. H. Cho, M. Shimizu, S. Hara, H. Okumura S. Sonoda and S. Shimizu: Jpn. J. Appl. Phys. 39 (2000) L16.
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• 4) C. Gmachl, H. M. Ng and A. Y. Cho: Appl. Phys. Lett. 79 (2001) 1590.
• 5) E. J. Tarsa, B. Heying, X. H. Wu, P. Fini, S. P. Denbaars and J. S. Speck: J. Appl. Phys. 82 (1997) 5472.

Terms in the title (6)： プラズマ ,  アシスト ,  分子ビームエピタキシャル成長 ,  高品質 ,  AlN ,  サファイア