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J-GLOBAL ID：200902280128985314   Reference number：03A0873561

365 nm Ultraviolet Laser Diodes Composed of Quaternary AlInGaN Alloy

四元AlInGaN合金から成る365nm紫外線レーザダイオード

Author (6)： MASUI S (Nichia Corp., Tokushima, JPN) ,  MATSUYAMA Y (Nichia Corp., Tokushima, JPN) ,  YANAMOTO T (Nichia Corp., Tokushima, JPN) ,  KOZAKI T (Nichia Corp., Tokushima, JPN) ,  NAGAHAMA S (Nichia Corp., Tokushima, JPN) ,  MUKAI T (Nichia Corp., Tokushima, JPN)
Material： Japanese Journal of Applied Physics. Part 2. Letters  (Japanese Journal of Applied Physics. Part 2. Letters & Express Letters)
Volume： 42  Issue： 11A  Page： L1318-L1320  Publication year： Nov. 01, 2003 
JST Material Number： F0599B  ISSN： 0021-4922  Document type： Article
Article type： 短報  Country of issue： Japan (JPN)  Language： ENGLISH (EN)

Thesaurus term： *semiconductor laser ,...

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JST classification (1)： Semiconductor lasers  (BD04070L)

Reference (17)：

• 1) T. Mukai, D. Morita and S. Nakamura: J. Cryst. Growth 189/190 (1998) 778.
• 2) T. Mukai and S. Nakamura: Jpn. J. Appl. Phys. 38 (1999) 5735.
• 3) D. Morita, M. Sano, M. Yanamoto, T. Murayama, S. Nagahama and T. Mukai: Jpn. J. Appl. Phys. 41 (2002) L1434.
• 4) M. Iwaya, S. Terao, T. Sano, T. Ukai, R. Nakamura, S. Kamiyama, H. Amano and I. Akasaki: J. Cryst. Growth 237/239 (2002) 951.
• 5) Y. B. Lee, T. Wang, Y. H. Liu, J. P. Ao, Y. Izumi, Y. Lacroix, H. D. Li, J. Bai, Y. Naoi and S. Sakai: Jpn. J. Appl. Phys. 41 (2002) 4450.

Terms in the title (3)： 合金 ,  紫外線レーザ ,  ダイオード