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J-GLOBAL ID：200902280855727000   Reference number：05A1022828

High-Speed Rotating-Disk Chemical Vapor Deposition Process for In-Situ Arsenic-Doped Polycrystalline Silicon Films

その場ひ素ドープ多結晶シリコン膜形成のための高速回転ディスクCVDプロセス

Author (7)： TERAI Fujio (Shibaura Inst. of Technol., Tokyo, JPN) ,  TERAI Fujio (Toshiba Corp., Yokohama, JPN) ,  KOBAYASHI Hiroaki (Toshiba Corp., Yokohama, JPN) ,  KATSUI Shuji (Toshiba Corp., Ooita, JPN) ,  TAMAOKI Naoki (Toshiba Corp., Kawasaki, JPN) ,  NAGATOMO Takao (Shibaura Inst. of Technol., Tokyo, JPN) ,  HOMMA Tetsuya (Shibaura Inst. of Technol., Tokyo, JPN)
Material： Japanese Journal of Applied Physics. Part 1. Regular Papers, Short Notes & Review Papers  (Japanese Journal of Applied Physics. Part 1. Regular Papers, Brief Communications & Review Papers)
Volume： 44  Issue： 11  Page： 7883-7888  Publication year： Nov. 15, 2005 
JST Material Number： G0520B  ISSN： 0021-4922  Document type： Article
Article type： 原著論文  Country of issue： Japan (JPN)  Language： ENGLISH (EN)

Thesaurus term： chemical vapor deposition ,...

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JST classification (1)： Semiconductor thin films  (BK14040E)

Reference (21)：

• FAGGIN, F. Solid-State Electron. 1970, 13, 1125
• BARBE, D. F. Proc. IEEE. 1975, 63, 38
• JOUBERT, P. J. Electrochem. Soc. 1987, 134, 2541
• KUROKAWA, H. J. Electrochem. Soc. 1982, 129, 2620
• MATSUO, N. Jpn. J. Appl. Phys. 1989, 28, L1866

Terms in the title (6)： ひ素 ,  ドープ ,  多結晶シリコン膜 ,  回転ディスク ,  CVD ,  プロセス