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J-GLOBAL ID：200902283872108347   Reference number：09A0334311

Interfacial-Oxide Layer Controlled Al-Induced Crystallization of Si_1-xGe_x (x:0-1) on Insulating Substrate

絶縁基板上の界面酸化物層を制御した,Si_1-xGe_x(x:0~1)の結晶化

Author (4)： KUROSAWA Masashi (Kyushu Univ., Fukuoka, JPN) ,  TSUMURA Yoshitaka (Kyushu Univ., Fukuoka, JPN) ,  SADOH Taizoh (Kyushu Univ., Fukuoka, JPN) ,  MIYAO Masanobu (Kyushu Univ., Fukuoka, JPN)
Material： Japanese Journal of Applied Physics  (JJAP)
Volume： 48  Issue： 3,Issue 3  Page： 03B002.1-03B002.5  Publication year： Mar. 25, 2009 
JST Material Number： G0520B  ISSN： 0021-4922  CODEN： JJAPB6  Document type： Article
Article type： 原著論文  Country of issue： United Kingdom (GBR)  Language： ENGLISH (EN)

Thesaurus term： *silicon base alloy ,  germanium base alloy ,  *aluminum ,  *crystallization ,  insulating film ,  oxide ,  polycrystal ,  air ,  exposure ,  annealing(heat treatment) ,  orientation(direction)

JST classification (1)： Structure of amorphous semiconductors  (BK04030O)

Reference (23)：

• S. Yamaguchi, N. Sugii, S. K. Park, K. Nakagawa, and M. Miyao: J. Appl. Phys.89(2001)2091.
• M. Miyao, M. Moniwa, K. Kusukawa, and W. Sinke: J. Appl. Phys.64(1988)3018.
• J. Olivares, A. Rodriguez, J. Sangrador, T. Rodriguez, C. Ballesteros, and A. Kling: Thin Solid Films 337(1999)51.
• M. Miyao, T. Sadoh, S. Yamaguchi, and S. K. Park: Proc. Asia-Pacific Workshop Fundamental and Application of Advanced Semiconductor Devices, 2001, p. 115.
• H. Watakabe, T. Sameshima, H. Kanno, T. Sadoh, and M. Miyao: J. Appl. Phys.95(2004)6457.

Terms in the title (4)： 絶縁基板 ,  界面 ,  酸化物層 ,  結晶化