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J-GLOBAL ID：200902289902135547   Reference number：08A0575251

Subgap states in transparent amorphous oxide semiconductor, In-Ga-Zn-O, observed by bulk sensitive x-ray photoelectron spectroscopy

バルク敏感x線光電子分光法において観測される透明な非晶質酸化物半導体,In-Ga-Zn-O,におけるサブギャップ状態

Author (8)： NOMURA Kenji (ERATO-SORST, JST, in Frontier Res. Center, Mailbox S2-13, Tokyo Inst. of Technol., 4259 Nagatsuta, Midori-ku ...) ,  KAMIYA Toshio (ERATO-SORST, JST, in Frontier Res. Center, Mailbox S2-13, Tokyo Inst. of Technol., 4259 Nagatsuta, Midori-ku ...) ,  YANAGI Hiroshi (Materials and Structures Lab., Mailbox R3-1, Tokyo Inst. of Technol., 4259 Nagatsuta, Midori-ku, Yokohama 226-8503, JPN) ,  IKENAGA Eiji (SPring-8, Japan Synchrotron Radiation Res. Inst., 1-1-1 Kouto, Mikazuki-cho, Hyogo 679-5198, JPN) ,  YANG Ke (SPring-8, Japan Synchrotron Radiation Res. Inst., 1-1-1 Kouto, Mikazuki-cho, Hyogo 679-5198, JPN) ,  KOBAYASHI Keisuke (SPring-8 Beamline Station, National Inst. for Materials Sci., 1-1-1 Kouto, Mikazuki-cho, Hyogo 679-5198, JPN) ,  HIRANO Masahiro (ERATO-SORST, JST, in Frontier Res. Center, Mailbox S2-13, Tokyo Inst. of Technol., 4259 Nagatsuta, Midori-ku ...) ,  HOSONO Hideo (ERATO-SORST, JST, in Frontier Res. Center, Mailbox S2-13, Tokyo Inst. of Technol., 4259 Nagatsuta, Midori-ku ...)
Material： Applied Physics Letters  (Appl Phys Lett)
Volume： 92  Issue： 20  Page： 202117  Publication year： May. 19, 2008 
JST Material Number： H0613A  ISSN： 0003-6951  CODEN： APPLAB  Document type： Article
Article type： 短報  Country of issue： United States (USA)  Language： ENGLISH (EN)

Thesaurus term： X-ray photoelectron spectrum ,  *amorphous semiconductor ,  *oxide ,  indium compound ,  gallium compound ,  zinc compound ,  carrier density ,  Hall mobility ,  annealing (heat treatment) ,  Fermi level ,  thin film transistor ,  *band structure
Semi thesaurus term： サブギャップ

JST classification (1)： Electronic structure of crystalline semiconductors  (BM02060N)

Terms in the title (8)： バルク ,  X線光電子分光法 ,  観測 ,  非晶質 ,  酸化物半導体 ,  Ga ,  Zn ,  サブギャップ