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J-GLOBAL ID：200902292893556977   Reference number：05A0763833

Lasing Characteristics of InGaAsSbN Quantum Well Laser Diodes at 2-μm-Wavelength Region Grown on InP Substrates

InP基板上に成長させた2μmの波長域で作動するInGaAsSbN量子井戸型レーザーダイオードの発振特性

Author (4)： KAWAMURA Yuichi (Osaka Prefecture Univ., Osaka, JPN) ,  KAWAMURA Yuichi (JST-CREST, Saitama, JPN) ,  NAKAGAWA Tomokatsu (Osaka Prefecture Univ., Osaka, JPN) ,  INOUE Naohisa (Osaka Prefecture Univ., Osaka, JPN)
Material： Japanese Journal of Applied Physics. Part 1. Regular Papers, Short Notes & Review Papers  (Japanese Journal of Applied Physics. Part 1. Regular Papers, Brief Communications & Review Papers)
Volume： 44  Issue： 8  Page： 6000-6001  Publication year： Aug. 15, 2005 
JST Material Number： G0520B  ISSN： 0021-4922  Document type： Article
Article type： 原著論文  Country of issue： Japan (JPN)  Language： ENGLISH (EN)

Thesaurus term： indium phosphide ,...
Semi thesaurus term： threshold current

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JST classification (1)： Solid-state lasers  (BD04080W)

Reference (7)：

• 1) J. G. Kim, L. Shterengas, R. U. Martinelli, G. L. Belenky, D. Z. Garbuzov and W. K. Chan: Appl. Phys. Lett. 81 (2002) 3146.
• 2) D.-K. Shih, H.-H. Lin and Y. H. Lin: Electron. Lett. 37 (2001) 1343.
• 3) J. Wagner, D. Serries, K. Kohler, P. Ganser, M. Maier, L. Kirste and R. Kiefer: Proc. 16th Int. Conf. Indium Phosphide and Related Materials (IEEE, Piscataway, NJ, 2004) p. 32.
• 4) Y. Kawamura, T. Nakagawa and N. Inoue: Jpn. J. Appl. Phys. 43 (2004) L1320.
• 5) H. Shimizu, K. Kumada, S. Uchiyama and A. Kasukawa: IEEE J. Sel. Top. Quantum Electron. 7 (2001) 355.

Terms in the title (6)： InP ,  成長 ,  波長域 ,  量子井戸 ,  レーザーダイオード ,  発振特性