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J-GLOBAL ID：200902293070242647   Reference number：09A0051154

Electrical Characteristics of Controlled-Polarization-Type Ferroelectric-Gate Field-Effect Transistor

制御された分極型強誘電ゲート電界効果トランジスタの電気特性

Author (6)： FUKUSHIMA Tadahiro (Osaka Prefecture Univ., Sakai, JPN) ,  YOSHIMURA Takeshi (Osaka Prefecture Univ., Sakai, JPN) ,  MASUKO Keiichiro (Osaka Prefecture Univ., Sakai, JPN) ,  MAEDA Kazuhiro (Osaka Prefecture Univ., Sakai, JPN) ,  ASHIDA Atsushi (Osaka Prefecture Univ., Sakai, JPN) ,  FUJIMURA Norifumi (Osaka Prefecture Univ., Sakai, JPN)
Material： Japanese Journal of Applied Physics  (JJAP)
Volume： 47  Issue： 12  Page： 8874-8879  Publication year： Dec. 25, 2008 
JST Material Number： G0520B  ISSN： 0021-4922  CODEN： JJAPB6  Document type： Article
Article type： 原著論文  Country of issue： United Kingdom (GBR)  Language： ENGLISH (EN)

Thesaurus term： ferroelectrics ,  *gate (semiconductor) ,  *FET ,  zinc oxide ,  gallium nitride ,  spontaneous polarization ,  yttrium compound ,  manganese compound ,  oxide ,  Platinum ,  lead zirconate titanate ,  thin film transistor ,  memory effect ,  leakage current ,  space charge ,  carrier injection ,  current-voltage characteristic ,  capacitance-voltage characteristic ,  drain (semiconductor)
Semi thesaurus term： field effect transistor ,  memory effect

JST classification (1)： Transistors  (NC03070N)

Reference (27)：

• J. L. Moll and Y. Tarui: IEEE Trans. Electron Devices 10(1963)338.
• H. Ishiwara: Jpn. J. Appl. Phys.32(1993)442.
• K. Sugibuchi, Y. Kurogi, and N. Endo: J. Appl. Phys.46(1975)2877.
• S. Sakai, R. Ilangovan, and M. Takahashi: Jpn. J. Appl. Phys.43(2004)7876.
• M. Takahashi and S. Sakai: Jpn. J. Appl. Phys.44(2005) L800.

Terms in the title (4)： 分極 ,  ゲート ,  電界効果トランジスタ ,  電気特性