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J-GLOBAL ID：200902299669091173   Reference number：05A0696836

Self-Aligned-Gate Metal/Ferroelectric/Insulator/Semiconductor Field-Effect Transistors with Long Memory Retention

長いメモリ保持時間を持つセルフアラインゲート金属/強誘電体/絶縁体/半導体電界効果トランジスタ

Author (2)： TAKAHASHI Mitsue (National Inst. of Advanced Industrial Sci. and Technol., Ibaraki, JPN) ,  SAKAI Shigeki (National Inst. of Advanced Industrial Sci. and Technol., Ibaraki, JPN)
Material： Japanese Journal of Applied Physics. Part 2. Letters  (Japanese Journal of Applied Physics. Part 2. Letters & Express Letters)
Volume： 44  Issue： 24-27  Page： L800-L802  Publication year： Jul. 10, 2005 
JST Material Number： F0599B  ISSN： 0021-4922  Document type： Article
Article type： 短報  Country of issue： Japan (JPN)  Language： ENGLISH (EN)

Thesaurus term： platinum ,...

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JST classification (1)： Transistors  (NC03070N)

Reference (11)：

• 1) Y. Tarui, T. Hirai, K. Teramoto, H. Koike and K. Nagashima: Appl. Surf. Sci. 113–114 (1997) 656.
• 2) C. L. Sun, S. Y. Chen, C. C. Liao and A. Chin: Appl. Phys. Lett. 85 (2004) 4726.
• 3) T. Li, S. T. Hsu, B. D. Ulrich, L. Stecker, D. R. Evans and J. J. Lee: IEEE Electron Device Lett. 23 (2002) 339.
• 4) T. Y. Tseng and S. Y. Lee: Appl. Phys. Lett. 83 (2003) 981.
• 5) T. Hirai, Y. Fujisaki, K. Nagashima, H. Koike and Y. Tarui: Jpn. J. Appl. Phys. 36 (1997) 5908.

Terms in the title (4)： 保持時間 ,  強誘電体 ,  絶縁体 ,  電界効果トランジスタ