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J-GLOBAL ID：200902295788647931   Reference number：08A0425669

歪Si MOSFETの陽子線照射損傷

Author (7)： HAYAMA KIYOTERU (熊本電波工高専) ,  TAKAKURA KEN'ICHIRO (熊本電波工高専) ,  KUDO TOMOHIRO (熊本電波工高専) ,  SHIGAKI KAZUSADA (熊本電波工高専) ,  OYAMA HIDENORI (熊本電波工高専) ,  SIMOEN E. (IMEC) ,  CLAEYS C. (IMEC)
Material： 応用物理学関係連合講演会講演予稿集  (Extended Abstracts. Spring Meeting. Japan Society of Applied Physics and Related Societies)
Volume： 55th  Issue： 2  Page： 813  Publication year： Mar. 27, 2008 
JST Material Number： Y0054A  Document type： Proceedings
Article type： 短報  Country of issue： Japan (JPN)  Language： JAPANESE (JA)

Thesaurus term： *MOSFET ,  *proton beam ,  *radiation damage ,  silicon ,  residual strain ,  semiconductor

JST classification (1)： Irradiational changes semiconductors  (BK16123E)

Terms in the title (5)： 歪 ,  Si ,  MOSFET ,  陽子線照射 ,  損傷