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J-GLOBAL ID：200902295980173390   Reference number：07A0666753

埋込チャネルMOSキャパシタのC-V特性の数値計算

Author (1)： MIYAKE MASAYASU (福山大 工)
Material： 電子情報通信学会論文誌 C  (IEICE Transactions on Electronics (Japanese Edition))
Volume： J90-C  Issue： 7  Page： 567-576  Publication year： Jul. 01, 2007 
JST Material Number： S0623C  ISSN： 1345-2827  Document type： Article
Article type： 原著論文  Country of issue： Japan (JPN)  Language： JAPANESE (JA)

Thesaurus term： PN junction ,...
Semi thesaurus term： MOS capacitor

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JST classification (1)： Transistors  (NC03070N)

Reference (6)：

• 三宅雅保, “埋込みチャネルMOSキャパシタの高周波C-V特性,”信学論 (C), vol. J85-C, no.6, pp. 462-469, June2002.
• M. R. Macpherson,“Threshold shift calculations for ion implanted MOS devices,” Solid-State Electron., vol.15, pp. 1319-1326, 1972.
• A. Berman and D. E. Kerr,“Inversion charge redistribution model of the high-frequency MOS capacitance,” Solid-State Electron., vol.17, pp. 735-742, 1974.
• J. T. Watt and J. D. Plumer,“Efficient numerical simulation of the high-frequency MOS capacitance,” IEEE Trans. Electron Devices, vol.ED-34, no.10, pp. 2214-2216, 1987.
• A. G. Fortino and J. S. Nadan,“An efficient numerical method for the small-signal AC analysis of MOS capacitors,” IEEE Trans. Electron Devices, vol.ED-24, no.9, pp. 1137-1147, 1977.

Terms in the title (4)： 埋込 ,  チャネル ,  MOSキャパシタ ,  数値計算