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J-GLOBAL ID：200902297148618288   Reference number：07A0640788

InGaAs/AlGaAs Quantum Wire DFB Laser by One-Time Selective MOCVD on Ridge Substrate

リッジ基板上の一回の選択MOCVDによるInGaAs/AlGaAs量子細線DFBレーザー

Author (3)： TAKASUKA YASUYUKI (芝浦工大) ,  YONEI KENJI (芝浦工大) ,  OGURA MUTSUO (産業技術総合研)
Material： 電気学会論文誌 C  (IEEJ Transactions on Electronics, Information and Systems)
Volume： 127  Issue： 7  Page： 985-989  Publication year： Jul. 01, 2007 
JST Material Number： S0810A  ISSN： 0385-4221  Document type： Article
Article type： 原著論文  Country of issue： Japan (JPN)  Language： JAPANESE (JA)

Thesaurus term： *distributed feedback laser ,...
Semi thesaurus term： fiber grating ,...

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JST classification (2)： Semiconductor lasers  (BD04070L) ,  Optical communication systems and equipment  (ND10000B)

Reference (6)：

• WALTHER, M. InGaAs/GaAs strained quantum wire lasers grown by organometallic chemical vapor deposition on nonplanar substrates. Appl. Phys. Lett. 1993, 62, 18, 2170-2172
• WANG, X. L. Temperature Dependent Photoluminescence Investigation of AlGaAs/GaAs Quantum Wires Grown by Flow Rate Modulation Epitaxy. Appl. Phys. Lett. 1995, 67, 24, 3629-3631
• LUO, Y. Purely gain-coupled distributed feedback semiconductor lasers. Appl. Phys. Lett. 1990, 56, 17, 1620-1622
• TSANG, W. T. Long wavelength InGaAsP/InP distributed feedback lasers grown by chemical beam epitaxy. J. Crystal. Growth. 1992, 124, 716-722
• TAKEMASA, K. 1.3-μm AlGaInAs-AlGaInAs strained multiple-quantum-well lasers with a p-AlInAs electron stopper layer. IEEE Photon. Tech. Lett. 1998, 10, 495-497

Terms in the title (6)： リッジ ,  MOCVD ,  InGaAs ,  AlGaAs ,  量子細線 ,  DFBレーザー