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J-GLOBAL ID：200902297952174341   Reference number：04A0447896

Cross-Hatch Related Oxidation and Its Impact on Performance of Strained-Si MOSFETs

歪んだSiMOSFETに関するクロスハッチ関連の酸化および性能に及ぼすその影響

Author (4)： NISHISAKA M (Kyushu Inst. of Technol., Fukuoka, JPN) ,  HAMASAKI Y (Kyushu Inst. of Technol., Fukuoka, JPN) ,  SHIRATA O (Kyushu Inst. of Technol., Fukuoka, JPN) ,  ASANO T (Kyushu Inst. of Technol., Fukuoka, JPN)
Material： Japanese Journal of Applied Physics. Part 1. Regular Papers, Short Notes & Review Papers  (Japanese Journal of Applied Physics. Part 1. Regular Papers, Brief Communications & Review Papers)
Volume： 43  Issue： 4B  Page： 1886-1890  Publication year： Apr. 30, 2004 
JST Material Number： G0520B  ISSN： 0021-4922  Document type： Article
Article type： 原著論文  Country of issue： Japan (JPN)  Language： ENGLISH (EN)

Thesaurus term： *MOSFET ,...
Semi thesaurus term： クロスハッチ

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JST classification (1)： Transistors  (NC03070N)

Reference (12)：

• 1) J. Welser, J. L. Hoyt and J. F. Gibbons: IEEE Electron Device Lett. 15 (1994) 100.
• 2) S. Takagi, T. Mizuno, N. Sugiyama, T. Tezuka and A. Kurobe: IEICE Trans. Electron. E84-C (2001) 1043.
• 3) S. H. Olsen, A. G. O’Neill, D. J. Norris, A. G. Cullis, N. J. Woods, J. Zhang, K. Fobelets and H. A. Kemhadjian: Semicond. Sci. Technol. 17 (2002) 655.
• 4) J. Y. Yen and J. G. Hwu: Appl. Phys. Lett. 76 (2000) 1834.
• 5) A. Sakai, K. Sugimoto, T. Yamamoto, M. Okada, H. Ikeda, Y. Yasuda, and S. Zaima: Appl. Phys. Lett. 79 (2001) 3398.

Terms in the title (2)： ハッチ ,  酸化