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J-GLOBAL ID：200903000033217949

部分保護ポリヒドロキシスチレンの製造法

Inventor：
横山 健一

About 横山 健一

, 
前田 幸勇

About 前田 幸勇

, 
小林 英一

About 小林 英一


Applicant, Patent owner：
ジェイエスアール株式会社

About ジェイエスアール株式会社


Agent (1)： 大島 正孝
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2000138045
Publication number (International publication number)：2001316418
Application date： May. 11, 2000
Publication date： Nov. 13, 2001
Summary：
【要約】【課題】 ヒドロキシル基の一部が3級アルキル基または3級アルキル基とアセタール基で保護された部分保護ポリヒドロキシスチレンの製造法を提供すること。【解決手段】 3級アルコキシ基を置換基として持つスチレンに由来する繰返し単位からなるポリマーを脱保護反応に付し、上記置換基の80〜95モル%をヒドロキシル基に変換した部分保護ポリヒドロキシスチレンを製造する方法およびこの部分保護ポリヒドロキシスチレンをさらにビニルエーテルと反応させてヒドロキシル基の一部をアセタール基に変換した部分保護ポリヒドロキシスチレンを製造する方法。
Claim (excerpt)：
下記式(1)【化1】ここで、R1は水素原子またはメチル基でありそしてR2、R3およびR4は同一もしくは異なり炭素数1〜4の直鎖状または分岐状のアルキル基である、で表される繰返し単位を含有するポリマーを脱保護反応に付して保護されたヒドロキシル基(-OCR2R3R4)の80〜95モル%をヒドロキシル基に変換せしめることを特徴とする部分保護ポリヒドロキシスチレンの製造法。
IPC (4)：
C08F 8/12 ,  C08F 12/22 ,  C08F212/14 ,  G03F 7/039 601
FI (4)：
C08F 8/12 ,  C08F 12/22 ,  C08F212/14 ,  G03F 7/039 601
F-Term (34)：
2H025AB16 ,  2H025AC04 ,  2H025AC08 ,  2H025AD03 ,  2H025BE00 ,  2H025BE07 ,  2H025BE10 ,  2H025BF15 ,  2H025BG00 ,  2H025CB17 ,  2H025CB45 ,  4J100AB07P ,  4J100AB07Q ,  4J100AB07R ,  4J100BA02R ,  4J100BA03Q ,  4J100BA04P ,  4J100BA04R ,  4J100BA05R ,  4J100BA06R ,  4J100BC04H ,  4J100CA01 ,  4J100CA04 ,  4J100CA05 ,  4J100CA31 ,  4J100HA08 ,  4J100HA19 ,  4J100HA61 ,  4J100HB25 ,  4J100HB52 ,  4J100HC13 ,  4J100HC28 ,  4J100HC71 ,  4J100JA37
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (3)

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