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J-GLOBAL ID：200903085413655260

化学増幅ポジ型レジスト材料

Inventor：
渡辺 修

About 渡辺 修

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畠山 潤

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名倉 茂広

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石原 俊信

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Applicant, Patent owner：
信越化学工業株式会社

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Agent (1)： 小島 隆司
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1995337899
Publication number (International publication number)：1997160246
Application date： Dec. 01, 1995
Publication date： Jun. 20, 1997
Summary：
【要約】 (修正有)【課題】 遠紫外線、電子線、X線等の高エネルギー線に対して高い感度を有し、アルカリ水溶液で現像することによりパターン形成できる、微細加工技術に適した化学増幅ポジ型レジスト材料を得る。【解決手段】 (A)有機溶媒、(B)ベース樹脂として下記一般式(1)で示され、重量平均分子量が3,000〜300,000である高分子化合物、(C)酸発生剤、(D)溶解制御剤として重量平均分子量が100〜1,000で、かつ分子内にフェノール性水酸基を有する化合物の該フェノール性水酸基の水素原子を酸不安定基により全体として平均10〜100%の割合で置換した化合物を含有してなる化学増幅ポジ型レジスト材料。
Claim (excerpt)：
(A)有機溶剤(B)ベース樹脂として下記一般式(1)で示される繰り返し単位を有し、重量平均分子量が3,000〜300,000である高分子化合物【化1】(但し、式中R<SP>1</SP>は水素原子又はメチル基であり、R<SP>4</SP>、R<SP>5</SP>はそれぞれ独立して水素原子又は炭素数1〜6の直鎖状又は分岐状のアルキル基であり、R<SP>6</SP>は炭素数1〜10の直鎖状、分岐状又は環状のアルキル基である。p、q、rは正数で、0.02≦p/(p+q+r)≦0.5、0.01≦q/(p+q+r)≦0.3、0<(p+q)/(p+q+r)≦0.8を満足する数である。aは1〜3の正数である。)(C)酸発生剤(D)溶解制御剤として重量平均分子量が100〜1,000で、かつ分子内にフェノール性水酸基を2つ以上有する化合物の該フェノール性水酸基の水素原子を酸不安定基により全体として平均10〜100%の割合で置換した化合物を含有してなることを特徴とする化学増幅ポジ型レジスト材料。
IPC (4)：
G03F 7/039 501 ,  G03F 7/004 501 ,  G03F 7/004 503 ,  H01L 21/027
FI (4)：
G03F 7/039 501 ,  G03F 7/004 501 ,  G03F 7/004 503 ,  H01L 21/30 502 R
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (4)
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