レジスト材料及びこれを用いたパターン形成方法

Inventor： , , ,
Applicant, Patent owner： ,
Agent (1)：平井順二
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1995049097
Publication number (International publication number)：1996123032
Application date： Feb. 14, 1995
Publication date： May. 17, 1996
Summary：

【要約】【目的】紫外線、特に300 nm以下の遠紫外光、KrFエキシマレーザ光等に対し高い透過性を有し、これ等光源による露光に対して高い感度を有し、耐熱性及び基板との密着性が極めて優れ、高解像性能を有し、パターン寸法が経時変動せずに精度の高いパターンが得られ、貯蔵安定性に優れ、広いフォーカスマージンを有し、且つ良好なマスクリニアリティを有する実用的なレジスト材料を提供。【構成】一般式[1]【化1】で示されるポリマーと、300 nm以下の遠紫外線又はKrFエキシマレーザー光を露光することにより酸を発生する感光性化合物と、これらを溶解可能な溶剤とを含んで成るレジスト材料。

Claim (excerpt)：

一般式[1]【化1】[式中、R1は水素原子又はメチル基を表し、R2及びR3は夫々独立して水素原子又は炭素数1〜6の直鎖状、分枝状又は環状のアルキル基、炭素数1〜6の直鎖状又は分枝状のハロアルキル基、又はフェニル基を表し(但し、R2及びR3が共に水素原子の場合は除く。)、また、R2とR3で炭素数2〜5のメチレン鎖を形成していても良く、R4は炭素数1〜10の直鎖状、分枝状又は環状のアルキル基、炭素数1〜6の直鎖状、分枝状又は環状のハロアルキル基、アセチル基、又はアラルキル基を表し、R5は水素原子、ハロゲン原子、炭素数1〜6の直鎖状、分枝状又は環状のアルキル基、炭素数1〜6の直鎖状、分枝状又は環状のアルコキシ基、テトラヒドロピラニルオキシ基、テトラヒドロフラニルオキシ基、tert-ブトキシカルボニルオキシ基、tert-ブトキシカルボニルメトキシ基、又はアセチルオキシ基を表し、k、r及びmは夫々独立して自然数を表す(但し、0.10≦(k+m)/(k+r+m)≦0.90で且つ0.01≦m/(k+r+m)≦0.25である。]で示されるポリマーと、300 nm以下の遠紫外線又はKrFエキシマレーザー光を露光することにより酸を発生する感光性化合物と、これらを溶解可能な溶剤とを含んで成るレジスト材料。

IPC (5)：

G03F 7/039 501 , G03F 7/004 501 , G03F 7/028 , G03F 7/033 , H01L 21/027

FI (2)：

H01L 21/30 502 R , H01L 21/30 569 A

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (13)

感放射線組成物及びそれを用いたパターン形成方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平4-206433 Applicant：株式会社日立製作所, 日立化成工業株式会社
微細パターン形成材料及びパターン形成方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平5-246324 Applicant：和光純薬工業株式会社, 松下電器産業株式会社
新規なレジスト材料及びパタ-ン形成方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平4-173830 Applicant：和光純薬工業株式会社

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