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J-GLOBAL ID：200903000080959350

現像装置、プロセスカートリッジ及び画像形成装置

Inventor：
萩原 一成

About 萩原 一成

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小川 研也

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森谷 修司

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吉島 直人

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清水 康史

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奥田 幸一

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Applicant, Patent owner：
キヤノン株式会社

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Agent (1)： 高梨 幸雄
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2005021757
Publication number (International publication number)：2006208807
Application date： Jan. 28, 2005
Publication date： Aug. 10, 2006
Summary：
【課題】従来の現像方式における背反する技術課題(非磁性接触現像におけるカブリとゴーストの課題、磁性非接触現像におけるカブリと磁気穂の影響の課題)を解決する。さらに、磁性搬送し、接触現像方式で、ベタ黒濃度差を生じる課題を解決する。【解決手段】平均円形度0.965以上の一成分磁性トナーを用いた磁性接触現像方式であり、ブレードバイアスを印加し、規制ブレードの条件を特定化した現像装置。【選択図】図1
Claim (excerpt)：
現像剤担持体と、前記現像剤担持体上の現像剤を規制する現像剤量規制手段と、前記現像剤担持体が被現像体を押圧しながら前記被現像体を現像剤で現像する現像装置において、 前記現像剤担持体表面が弾性体であり、 前記現像剤が平均円形度0.965以上の一成分磁性トナーであり、 前記現像剤は前記現像剤担持体の内部に設けられた固定の磁場発生手段によって、前記現像剤担持体に引き寄せられ、現像に臨み前記現像剤量規制手段によって量規制され、 前記現像剤量規制手段と前記現像剤担持体間に前記現像剤を介して電圧が印加され、 前記現像剤量規制手段と前記現像剤担持体との当接位置において、前記磁界発生手段により発生する磁束密度Bの関係が下記の(1)式を満たし、前記現像剤量規制手段と前記現像剤担持体との当接位置における当接幅Nsbが、Brについて最近接磁極の半値幅Bs[rad]の関係が下記の(2)式を満たすことを特徴とする現像装置。 記 |Br|/|B|≧0.5 ・・・(1)式 Nsb/(Bs×R)≦0.5・・・(2)式 ここで、|B|は、磁束密度Bの大きさ(|B|=|Br2+Bθ2|1/2)であり、Brは、前記現像剤担持体表面に形成される磁束密度Bのうち、前記現像剤担持体表面に対して垂直成分、Bθは前記現像剤担持体表面に対して水平成分である。Rは、前記現像剤担持体の半径である。
IPC (2)：
G03G 15/09 ,  G03G 15/08
FI (3)：
G03G15/09 101 ,  G03G15/09 A ,  G03G15/08 504
F-Term (24)：
2H031AB03 ,  2H031AC02 ,  2H031AC08 ,  2H031AC18 ,  2H031AC19 ,  2H031AC20 ,  2H031AC30 ,  2H031AD01 ,  2H031BA03 ,  2H031BB01 ,  2H031CA11 ,  2H031EA01 ,  2H031EA03 ,  2H077AB03 ,  2H077AB14 ,  2H077AB15 ,  2H077AC03 ,  2H077AD06 ,  2H077AD13 ,  2H077AD17 ,  2H077AD36 ,  2H077BA09 ,  2H077EA13 ,  2H077EA15
Patent cited by the Patent：
Cited by applicant (9)
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Cited by examiner (3)

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