複数のメモリ・バンクを有するMRAMアレイ

Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：大貫進介 (外1名)
Gazette classification：公表公報
Application number (International application number)：2000564205
Publication number (International publication number)：2002522864
Application date： Aug. 03, 1999
Publication date： Jul. 23, 2002
Summary：

【要約】MRAM素子は、新たなタイプのメモリ・バンク(10)を有する。このメモリ・バンク(10)は、ビット線(21〜24),基準線(27)およびディジット線(25,26)を含み、ビット線とディジット線との交点上に、複数の磁気メモリ・セル(15〜18)が配列されている。基板上の基準線の両側にビット線が形成されている。各ビット線は基準線に接近して製作されているので、各セルは実質的に同じヒステリシス特性を有するため、MRAM素子は安定した動作モードを得ることができる。

Claim (excerpt)：

磁気ランダム・アクセス・メモリ・アレイであって: 複数の第1線グループであって、前記複数の第1線グループの各々は、平行に配置され、導電性のある複数の第1線を有する、複数の第1線グループ; 前記複数の第1線に対して垂直であり、導電性のある、複数の第2線; 複数の磁気メモリ・セルであって、前記複数の第1線と前記複数の第2線との交点上に各々配置され、該交点において第1線に電気的に接続される複数の磁気メモリ・セル; 前記複数の第1線と平行であり、導電性のある基準線;および複数の基準磁気メモリ・セルであって、前記基準線と前記複数の第2線との交点上に各々配置され、前記基準線に電気的に結合される複数の基準磁気メモリ・セル;から成り、各磁気メモリ・セルおよび各基準磁気メモリ・セルが非磁性層によって分離された磁性層を有することを特徴とする磁気ランダム・アクセス・メモリ・アレイ。

IPC (4)：

G11C 11/14 , G11C 11/15 , H01L 27/105 , H01L 43/08

FI (4)：

G11C 11/14 Z , G11C 11/15 , H01L 43/08 Z , H01L 27/10 447

F-Term (8)：

5F083FZ10 , 5F083GA01 , 5F083GA05 , 5F083GA09 , 5F083GA11 , 5F083HA10 , 5F083KA05 , 5F083LA01

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (5)

磁気抵抗記憶素子、アレイおよび装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平6-022669 Applicant：インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレイション
特開平3-030181
半導体記憶装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平3-265187 Applicant：株式会社東芝

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