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J-GLOBAL ID：200903000222243136

タンタル酸化物膜を絶縁膜として有するキャパシタの製造方法

Inventor：
細田 恵三

About 細田 恵三

, 
村木 雄介

About 村木 雄介


Applicant, Patent owner：
東京エレクトロン株式会社

About 東京エレクトロン株式会社


Agent (1)： 鈴江 武彦 (外5名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2001151395
Publication number (International publication number)：2002064144
Application date： May. 21, 2001
Publication date： Feb. 28, 2002
Summary：
【要約】【課題】下部電極の酸化を抑制しつつタンタル酸化物膜の膜質を改善し得るキャパシタの製造方法を提供する。【解決手段】下部導電膜(11)の上にタンタル酸化物膜(12)を気相堆積させた後、このタンタル酸化物膜を活性酸素種で処理し、不活性雰囲気中においてタンタル酸化物の結晶化温度より10〜80°C低い温度でアニール処理する。しかる後、このタンタル酸化物膜(12)上に上部導電膜(13)を形成する。
Claim (excerpt)：
下部導電膜の上にタンタル酸化物膜を気相堆積させる工程、該タンタル酸化物膜を活性酸素種で処理する工程、該活性酸素種で処理したタンタル酸化物膜を不活性雰囲気中においてタンタル酸化物の結晶化温度より10〜80°C低い温度でアニール処理する工程、および該アニール処理したタンタル酸化物膜上に上部導電膜を形成する工程を備えることを特徴とするタンタル酸化物膜を絶縁膜として有するキャパシタの製造方法。
IPC (6)：
H01L 21/822 ,  C23C 16/40 ,  H01L 21/316 ,  H01L 21/8242 ,  H01L 27/04 ,  H01L 27/108
FI (6)：
C23C 16/40 ,  H01L 21/316 M ,  H01L 21/316 P ,  H01L 21/316 X ,  H01L 27/04 C ,  H01L 27/10 651
F-Term (35)：
4K030BA01 ,  4K030BA02 ,  4K030BA17 ,  4K030BA18 ,  4K030BA20 ,  4K030BA38 ,  4K030BA42 ,  4K030BA48 ,  4K030BB12 ,  4K030CA04 ,  4K030CA12 ,  4K030DA09 ,  4K030JA10 ,  4K030LA02 ,  5F038AC05 ,  5F038AC15 ,  5F038AC17 ,  5F038EZ20 ,  5F058BA11 ,  5F058BC03 ,  5F058BD05 ,  5F058BF06 ,  5F058BF29 ,  5F058BH03 ,  5F058BH04 ,  5F058BH16 ,  5F083AD60 ,  5F083JA06 ,  5F083JA35 ,  5F083JA36 ,  5F083JA38 ,  5F083JA39 ,  5F083JA40 ,  5F083PR21 ,  5F083PR33
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (4)
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