半導体素子およびその製造方法

Inventor： ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：大垣孝
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1997338867
Publication number (International publication number)：1999177048
Application date： Dec. 09, 1997
Publication date： Jul. 02, 1999
Summary：

【要約】【課題】下部電極15が白金族から選ばれた金属膜で構成され、キャパシタ誘電体膜が高誘電体膜17で構成されているキャパシタ21を、下地11上に具える。下部電極の剥がれを生じにくくする。【解決手段】下地と下部電極との間に、シリコン窒化膜31を具えた構造とする。

Claim (excerpt)：

下部電極が白金族から選ばれた金属膜で構成され、キャパシタ誘電体膜が高誘電体膜で構成されているキャパシタを、下地上に具える半導体素子において、前記下地と前記下部電極との間に、シリコン窒化膜を具えたことを特徴とする半導体素子。

IPC (2)：

H01L 27/108 , H01L 21/8242

FI (2)：

H01L 27/10 651 , H01L 27/10 621 Z

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (4)

半導体集積回路装置およびその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平7-325337 Applicant：株式会社日立製作所
半導体記憶装置及びその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平7-166091 Applicant：三菱電機株式会社
半導体素子およびその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平7-202284 Applicant：沖電気工業株式会社

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