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J-GLOBAL ID：200903000248151698

半導体レーザ装置

Inventor： 羽鳥 伸明
Applicant, Patent owner： 富士通株式会社
Agent (1)： 眞鍋 潔 (外3名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2000141250
Publication number (International publication number)：2001326421
Application date： May. 15, 2000
Publication date： Nov. 22, 2001
Summary：

【要約】【課題】 半導体レーザ装置に関し、周期的利得領域の間を通るキャリアによる漏れ電流を低減させて、低しきい値電流Ith、高特性温度動作化、高速動作を実現する。【解決手段】 量子ドット1を周期的に設けて波長選択性を持たせるとともに、少なくとも量子ドット1が設けられていない領域に量子井戸層2を設け、量子井戸層2を、量子ドット1を設けた領域と少なくとも一部で物理的または電気的に接触させる。

Claim (excerpt)：

量子ドットを活性層に用いた半導体レーザ装置において、量子ドットを周期的に設けて波長選択性を持たせるとともに、少なくとも前記量子ドットが設けられていない領域に量子井戸層を設け、前記量子井戸層が、前記量子ドットを設けた領域と少なくとも一部で物理的または電気的に接触していることを特徴とする半導体レーザ装置。

IPC (2)：

H01S 5/12 ,  H01S 5/343

FI (2)：

H01S 5/12 ,  H01S 5/343

F-Term (9)：

5F073AA45 ,  5F073AA64 ,  5F073AA73 ,  5F073AA75 ,  5F073CA07 ,  5F073DA05 ,  5F073DA23 ,  5F073DA35 ,  5F073EA23

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (3)

• 半導体レーザ
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平4-039941   Applicant：日本電気株式会社
• 半導体発光素子
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平7-238756   Applicant：株式会社東芝
• 半導体発光装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平3-303587   Applicant：富士通株式会社