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J-GLOBAL ID：200903000330503470

半導体装置の製造方法

Inventor：
横山 幸二

About 横山 幸二


Applicant, Patent owner：
株式会社日立製作所

About 株式会社日立製作所


Agent (1)： 筒井 大和
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2002098995
Publication number (International publication number)：2003297789
Application date： Apr. 01, 2002
Publication date： Oct. 17, 2003
Summary：
【要約】【課題】 半導体ウエハの洗浄工程における異物除去率を向上させ、半導体装置の歩留まりを向上させる。【解決手段】 第2層配線M2上に、第2層配線M2の間隔を完全には埋め込まない程度の膜厚のTEOS膜14を形成し、ノズル101から5MPa以上の水圧で、純水をTEOS膜14の表面に噴射しつつ(ジェット洗浄)、ポリビニルアルコール(PVA)製などのブラシ103を半導体ウエハ表面に軽く押しつけながら回転・移動させ、その表面を洗浄する(ブラシ洗浄)。その結果、第2層配線M2の凹凸に対応した凹凸を有するTEOS膜14の表面の異物除去率を向上させることができる。
Claim (excerpt)：
(a)半導体ウエハの上部に導電性膜を形成し前記導電性膜のパターニングを行う工程と、(b)前記導電性膜上に絶縁膜を形成する工程と、(c)前記絶縁膜上に4MPa以上の圧力で洗浄液を噴射しながら、前記絶縁膜をブラッシングする工程と、を有することを特徴とする半導体装置の製造方法。
IPC (2)：
H01L 21/304 644 ,  H01L 21/304 643
FI (2)：
H01L 21/304 644 B ,  H01L 21/304 643 A
Patent cited by the Patent：
Cited by applicant (3) Cited by examiner (3)

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