半導体集積回路装置の製造方法および製造装置

Inventor： , , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：高田守 (外4名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1994302377
Publication number (International publication number)：1996162425
Application date： Dec. 06, 1994
Publication date： Jun. 21, 1996
Summary：

【要約】【目的】半導体集積回路装置の配線構造の形成工程において、配線要素にダメージを与えることなく、異物ないしは残渣を除去することができ、もって配線欠陥の発生を防止して半導体集積回路装置の品質レベルを高めることができる手段を提供することを目的とする。【構成】製造途上にある半導体集積回路装置102は、配線形成工程終了後あるいはプラグ構造形成工程終了後において、チャック101によって回転させられながら、中性溶液供給機構103から供給される酸化剤を含む中性溶液、例えば過酸化水素水106等によって洗浄される。また、純水供給機構107から供給される純水108によってリンスされる。酸化剤を含む中性溶液のエッチング作用は露出面積の小さいものほど強いので、上記洗浄により配線要素にダメージを与えることなく異物ないしは残渣が除去され、上記目的が達成される。

Claim (excerpt)：

半導体素子と該半導体素子を相互に接続する配線構造とが半導体基板上に配置された半導体集積回路装置の製造方法において、上記配線構造を構成する各種配線要素が順次形成される一連の配線要素形成工程と、上記一連の配線要素形成工程中において、製造途上にある半導体集積回路装置が、酸化剤を含む中性溶液を用いて洗浄される洗浄処理工程とを含むことを特徴とする半導体集積回路装置の製造方法。

IPC (5)：

H01L 21/28 , H01L 21/304 341 , H01L 21/304 , H01L 21/3063 , H01L 21/3213

FI (2)：

H01L 21/306 L , H01L 21/88 C

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (6)

ウェハーの静電破壊防止方法およびその装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平4-320585 Applicant：三菱電機株式会社
レジスト残渣物の除去方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平3-317768 Applicant：三菱電機株式会社
半導体基板の処理方法および処置装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平5-089304 Applicant：三洋電機株式会社

Show all

Return to Previous Page