基板の析出表面上に反応ガスからの原子又は分子をエピタキシャルに析出させる方法及び装置

Inventor： , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：矢野敏雄 (外4名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2000269114
Publication number (International publication number)：2001122691
Application date： Sep. 05, 2000
Publication date： May. 08, 2001
Summary：

【要約】【課題】基板の析出表面上での反応ガスからの原子又は分子のエピタキシャルな析出方法【解決手段】少なくとも析出表面(5)を加熱することにより第1のエネルギー量を供給し、その際、第1のエネルギー量は析出表面(5)上に反応ガス(9)の原子又は分子をエピタキシャルに析出するために必要なエネルギー量よりも低く、イオン化された不活性ガス(11)のイオンの作用によって析出表面(5)上へ第2のエネルギー量を少なくとも一時的に供給するために、イオン化された不活性ガス(11)を少なくとも一時的に析出表面(5)上へ導き、その際、第1のエネルギー量及び第2のエネルギー量は少なくとも一時的に加算されて、析出表面(5)上へ反応ガス(9)の原子又は分子がエピタキシャルに析出するために十分な総エネルギー量になる、基板の析出表面上に反応ガスからの原子又は分子をエピタキシャルに析出させる方法。

Claim (excerpt)：

基板の析出表面上に反応ガスからの原子又は分子をエピタキシャルに析出させる方法において、次の工程:少なくとも析出表面(5)を加熱することにより第1のエネルギー量を供給し、その際、第1のエネルギー量は析出表面(5)上に反応ガス(9)の原子又は分子をエピタキシャルに析出するために必要なエネルギー量よりも低く:イオン化された不活性ガス(11)のイオンの作用によって析出表面(5)上へ第2のエネルギー量を少なくとも一時的に供給するために、イオン化された不活性ガス(11)を少なくとも一時的に析出表面(5)上へ導き、その際、第1のエネルギー量及び第2のエネルギー量は少なくとも一時的に加算されて、析出表面(5)上へ反応ガス(9)の原子又は分子がエピタキシャルに析出するために十分な総エネルギー量になる、を特徴とする、基板の析出表面上に反応ガスからの原子又は分子をエピタキシャルに析出させる方法。

IPC (2)：

C30B 25/02 , H01L 21/205

FI (2)：

C30B 25/02 P , H01L 21/205

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (5)

プラズマCVD法および半導体装置の製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平4-262784 Applicant：日本電信電話株式会社
ポリマー基板にガス相で無機化合物をプラズマ堆積する反応装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平4-151668 Applicant：ル・エール・リクイツド・ソシエテ・アノニム・プール・ル・エチユド・エ・ル・エクスプルワテシヨン・デ・プロセデ・ジエオルジエ・クロード
特開昭63-166971

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