窒化物半導体層の形成方法

Inventor： , , ,
Applicant, Patent owner： ,
Agent (6)：深見久郎 , 森田俊雄 , 仲村義平 , 堀井豊 , 野田久登 , 酒井將行
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2006230344
Publication number (International publication number)：2008053593
Application date： Aug. 28, 2006
Publication date： Mar. 06, 2008
Summary：

【課題】サファイア基板と窒化物半導体層との間に低温バッファ層を介在させることなく、平坦で高品質の無極性窒化物半導体層を結晶成長させる窒化物半導体層の形成方法を提供する。【解決手段】窒化物系半導体層の形成方法は、窒化物系半導体層の形成前にサファイア基板の一主面を800°Cから1200°Cの範囲の温度で窒化処理し、その窒化処理されたサファイア基板面上に有機金属気相成長法により窒化物半導体層を結晶成長させる。【選択図】図4

Claim (excerpt)：

サファイア基板の一主面を窒化処理し、前記窒化処理された前記主面上に窒化物半導体層を結晶成長させることを特徴とする窒化物半導体層の形成方法。

IPC (8)：

H01L 21/205 , H01L 33/00 , H01S 5/323 , C30B 29/38 , C30B 25/18 , C23C 16/02 , C23C 16/34 , H01L 21/318

FI (9)：

H01L21/205 , H01L33/00 C , H01S5/323 610 , C30B29/38 D , C30B25/18 , C23C16/02 , C23C16/34 , H01L21/318 B , H01L21/318 M

F-Term (57)：

4G077AA02 , 4G077AA03 , 4G077AB02 , 4G077BE15 , 4G077DB08 , 4G077EC09 , 4G077ED05 , 4G077ED06 , 4G077EE06 , 4G077HA02 , 4G077TA04 , 4G077TA06 , 4G077TB05 , 4G077TC01 , 4G077TC13 , 4G077TK01 , 4G077TK06 , 4K030AA11 , 4K030AA13 , 4K030BA08 , 4K030BA38 , 4K030CA05 , 4K030DA02 , 4K030FA10 , 4K030HA01 , 4K030JA06 , 4K030JA10 , 4K030JA11 , 4K030LA14 , 5F041AA40 , 5F041CA23 , 5F041CA40 , 5F041CA46 , 5F041CA65 , 5F045AA04 , 5F045AB14 , 5F045AC08 , 5F045AC12 , 5F045AD15 , 5F045AF09 , 5F045BB12 , 5F045CA10 , 5F045CA12 , 5F058BA06 , 5F058BB06 , 5F058BC09 , 5F058BF56 , 5F058BF64 , 5F173AG11 , 5F173AH22 , 5F173AH44 , 5F173AP06 , 5F173AP24 , 5F173AQ12 , 5F173AQ16 , 5F173AR84 , 5F173AR92

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (1)

金属・有機化学気相成長によって成長した非極性a平面窒化ガリウム薄膜
Gazette classification：公表公報 Application number：特願2003-586402 Applicant：ザリージェントオブザユニバーシティオブカリフォルニア

Cited by examiner (2)

非極性a面窒化物半導体単結晶基板およびその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2005-136017 Applicant：三星コーニング株式会社
III族窒化物系化合物半導体発光素子の製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2005-111932 Applicant：シャープ株式会社

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