膜形成材料、膜形成方法、及び素子

Inventor： , , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：宇高克己
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2004285720
Publication number (International publication number)：2006097100
Application date： Sep. 30, 2004
Publication date： Apr. 13, 2006
Summary：

【課題】半導体素子に悪影響を引き起こす恐れが高いハロゲンを有さない原料を用いて、純度が高いモリブデン膜(モリブデンシリサイト膜またはモリブデンナイトライド膜)を低温で容易に形成できる技術を提供することである。【解決手段】モリブデン膜もしくはモリブデンシリサイト膜またはモリブデンナイトライド膜を形成する為の膜形成材料であって、前記膜のMo源がビスシクロペンタジエニルモリブデンジハイドライド、ビスメチルシクロペンタジエニルモリブデンジハイドライド、ビスエチルシクロペンタジエニルモリブデンジハイドライド、及びビスイソプロピルシクロペンタジエニルモリブデンジハイドライドの群の中から選ばれる一つ又は二つ以上の化合物である。

Claim (excerpt)：

モリブデン膜もしくはモリブデンシリサイト膜またはモリブデンナイトライド膜を形成する為の膜形成材料であって、前記膜のMo源が下記の一般式[I]の群の中から選ばれる一つ又は二つ以上の化合物であることを特徴とする膜形成材料。一般式[I]

IPC (5)：

C23C 16/18 , C23C 16/34 , C23C 16/42 , H01L 21/28 , H01L 21/285

FI (6)：

C23C16/18 , C23C16/34 , C23C16/42 , H01L21/28 301R , H01L21/28 301S , H01L21/285 C

F-Term (23)：

4H050AA01 , 4H050AB84 , 4H050AB91 , 4K030AA06 , 4K030AA11 , 4K030AA13 , 4K030BA12 , 4K030BA38 , 4K030BA48 , 4K030CA04 , 4K030CA12 , 4K030FA06 , 4K030FA07 , 4K030FA10 , 4K030LA15 , 4M104BB16 , 4M104BB26 , 4M104BB31 , 4M104DD43 , 4M104DD45 , 4M104GG09 , 4M104GG10 , 4M104GG14

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (10)

薄膜半導体素子とその製造方法及び液晶表示装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2000-190898 Applicant：松下電器産業株式会社
薄膜半導体素子及びその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2001-156015 Applicant：松下電器産業株式会社
半導体装置及びその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2002-344226 Applicant：株式会社東芝

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Cited by examiner (6)

前駆原料混合物、膜付着方法、及び構造の形成
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2001-122174 Applicant：インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレーション
半導体素子の金属ゲート形成方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2001-393197 Applicant：株式会社ハイニックスセミコンダクター
特開平2-298271

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