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J-GLOBAL ID：200903090555250554

半導体素子の金属ゲート形成方法

Inventor： 朴 大 奎 ,  趙 興 在 ,  林 寛 容
Applicant, Patent owner： 株式会社ハイニックスセミコンダクター
Agent (1)： 中川 周吉 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2001393197
Publication number (International publication number)：2002237469
Application date： Dec. 26, 2001
Publication date： Aug. 23, 2002
Summary：

【要約】【課題】 ゲート絶縁膜の特性低下を防止することが可能な金属ゲート形成方法を提供すること。【解決手段】 アクティブ領域を限定するトレンチ形の素子分離膜が備えられたシリコン基板を提供する段階と、前記シリコン基板の表面上に熱酸化工程によってゲート絶縁膜を形成する段階と、前記ゲート絶縁膜上にバリヤ金属膜とゲート用金属膜を順次蒸着する段階と、前記ゲート用金属膜、バリヤ金属膜及びゲート絶縁膜をパターニングする段階とを含み、前記バリヤ金属膜とゲート用金属膜の蒸着は原子層成長(ALD)工程及び/またはリモートプラズマ化学気相成長(RPCVD)工程で行う。

Claim (excerpt)：

アクティブ領域を限定するトレンチ形の素子分離膜が備えられたシリコン基板を提供する段階と、前記シリコン基板の表面上に熱酸化工程によってゲート絶縁膜を形成する段階と、前記ゲート絶縁膜上にバリヤ金属膜とゲート用金属膜を順次蒸着する段階と、前記ゲート用金属膜、バリヤ金属膜及びゲート絶縁膜をパターニングする段階とを含み、前記バリヤ金属膜とゲート用金属膜の蒸着は原子層成長(ALD)工程及び/またはリモートプラズマ化学気相成長(RPCVD)工程で行うことを特徴とする半導体素子の金属ゲート形成方法。

IPC (6)：

H01L 21/28 301 ,  H01L 21/285 ,  H01L 21/8242 ,  H01L 27/108 ,  H01L 29/43 ,  H01L 29/78

FI (5)：

H01L 21/28 301 R ,  H01L 21/285 C ,  H01L 29/78 301 G ,  H01L 29/62 G ,  H01L 27/10 671 Z

F-Term (72)：

4M104BB01 ,  4M104BB02 ,  4M104BB17 ,  4M104BB18 ,  4M104BB20 ,  4M104BB21 ,  4M104BB25 ,  4M104BB30 ,  4M104BB31 ,  4M104BB32 ,  4M104BB33 ,  4M104BB36 ,  4M104CC05 ,  4M104FF18 ,  4M104GG09 ,  4M104GG14 ,  4M104GG16 ,  5F083AD01 ,  5F083AD15 ,  5F083GA09 ,  5F083GA27 ,  5F083JA02 ,  5F083JA03 ,  5F083JA06 ,  5F083JA12 ,  5F083JA13 ,  5F083JA14 ,  5F083JA35 ,  5F083JA36 ,  5F083JA39 ,  5F083JA40 ,  5F083NA01 ,  5F083PR12 ,  5F083PR21 ,  5F083PR22 ,  5F083PR34 ,  5F083PR40 ,  5F140AA00 ,  5F140AA01 ,  5F140AA39 ,  5F140AB09 ,  5F140AC32 ,  5F140AC33 ,  5F140BA01 ,  5F140BD01 ,  5F140BD05 ,  5F140BD11 ,  5F140BD12 ,  5F140BD13 ,  5F140BE07 ,  5F140BE09 ,  5F140BE13 ,  5F140BE17 ,  5F140BE18 ,  5F140BE19 ,  5F140BE20 ,  5F140BF04 ,  5F140BF10 ,  5F140BF11 ,  5F140BF15 ,  5F140BF17 ,  5F140BF18 ,  5F140BF20 ,  5F140BF21 ,  5F140BF27 ,  5F140BG01 ,  5F140BG27 ,  5F140BG28 ,  5F140BG36 ,  5F140BG39 ,  5F140CB01 ,  5F140CB04

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (6)

• MOSFET及びその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平4-165000   Applicant：沖電気工業株式会社
• 原子層蒸着法を用いた薄膜製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平11-034413   Applicant：三星電子株式会社
• 化学気相蒸着法による金属窒化膜形成方法及びこれを用いた半導体装置の金属コンタクト形成方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平10-275664   Applicant：三星電子株式会社
• 半導体装置の製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平10-256729   Applicant：富士通株式会社
• 基材処理方法およびその装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平7-329601   Applicant：日新電機株式会社
• 金属窒化物膜の形成方法および電子装置の製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平10-289278   Applicant：ソニー株式会社