透明導電膜およびその製造方法並びにその用途

Inventor： , , ,
Applicant, Patent owner：
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2000127633
Publication number (International publication number)：2001307554
Application date： Apr. 24, 2000
Publication date： Nov. 02, 2001
Summary：

【要約】【課題】大型高精細ELパネルに好適な、膜表面が平坦で抵抗率の低い透明導電膜を得ることが可能となる。【解決手段】実質的にインジウム、スズ、ガリウムおよび酸素からなり、抵抗率が250μΩ・cm以下、かつ表面凹凸の最大高低差(Z-max)/膜厚(t)が10%以下であることを特徴とする透明導電膜であり、Ga/(In+Sn+Ga)の原子比が2〜9%の割合で含有されていることが好ましい。

Claim (excerpt)：

実質的にインジウム、スズ、ガリウムおよび酸素からなり、抵抗率が250μΩ・cm以下、かつ表面凹凸の最大高低差(Z-max)/膜厚(t)が10%以下であることを特徴とする透明導電膜。

IPC (6)：

H01B 5/14 , B32B 7/02 104 , B32B 9/00 , C03C 17/245 , C23C 14/08 , H01B 13/00 503

FI (6)：

H01B 5/14 A , B32B 7/02 104 , B32B 9/00 A , C03C 17/245 A , C23C 14/08 D , H01B 13/00 503 B

F-Term (26)：

4F100AA17A , 4F100AA28A , 4F100AA33A , 4F100AG00B , 4F100BA02 , 4F100DD07A , 4F100EH662 , 4F100JG01 , 4F100JG04 , 4F100JN01 , 4F100YY00A , 4G059AA01 , 4G059AC12 , 4G059EA01 , 4G059EA02 , 4G059EA03 , 4G059EB04 , 4K029BA45 , 4K029BA50 , 4K029BC09 , 4K029CA06 , 5G307EF10 , 5G307FA01 , 5G307FB01 , 5G323BA02 , 5G323BB05

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (11)

特開平4-272612
有機EL素子およびその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平9-230409 Applicant：ティーディーケイ株式会社
電極の製造方法および電極
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平9-230410 Applicant：ティーディーケイ株式会社

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Cited by examiner (12)

有機EL素子およびその製造方法
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特開平4-272612
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